BH25NB1WHFV-TR 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高電子遷移率晶體管(HEMT�,廣泛應用于高頻和高效率的功率轉換場景。該器件采用先進的封裝技�,能夠提供卓越的開關性能和較低的導通電�,適用于工業(yè)、通信和消費類電子�(chǎn)品中的多種應用場��
型號:BH25NB1WHFV-TR
類型:GaN HEMT
工作電壓�650 V
額定電流�25 A
導通電阻:40 mΩ
柵極電荷�80 nC
反向恢復時間:小�50 ns
封裝形式:TO-247-4L
BH25NB1WHFV-TR 具備以下主要特性:
1. 高效的功率轉換能力,得益于其低導通電阻和快速開關速度�
2. 采用氮化鎵材�,相比傳�(tǒng)硅基器件具有更高的工作頻率和更低的能量損��
3. 內置�(yōu)化的柵極驅動設計,減少了對外部電路的需�,簡化了系統(tǒng)設計�
4. 支持硬開關和軟開關拓�,適應性更強�
5. 提供強大的熱管理能力,確保在高負載條件下的穩(wěn)定運行�
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且可靠性高�
BH25NB1WHFV-TR 主要應用于以下領域:
1. 高頻DC-DC轉換�
2. 服務器電源和電信電源
3. 太陽能逆變�
4. 電動車輛(EV)車載充電器
5. 快速充電適配器
6. 工業(yè)電機驅動控制
7. 無線充電設備
由于其高效性和高頻性能,這款器件非常適合需要高效率和小尺寸解決方案的應用場��
BSC018N06NSG
GAN042-650WSA
IRGB4062DPBF