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BH25NB1WHFV-TR 發(fā)布時間 時間�2025/5/20 13:59:25 查看 閱讀�20

BH25NB1WHFV-TR 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高電子遷移率晶體管(HEMT�,廣泛應用于高頻和高效率的功率轉換場景。該器件采用先進的封裝技�,能夠提供卓越的開關性能和較低的導通電�,適用于工業(yè)、通信和消費類電子�(chǎn)品中的多種應用場��

參數(shù)

型號:BH25NB1WHFV-TR
  類型:GaN HEMT
  工作電壓�650 V
  額定電流�25 A
  導通電阻:40 mΩ
  柵極電荷�80 nC
  反向恢復時間:小�50 ns
  封裝形式:TO-247-4L

特�

BH25NB1WHFV-TR 具備以下主要特性:
  1. 高效的功率轉換能力,得益于其低導通電阻和快速開關速度�
  2. 采用氮化鎵材�,相比傳�(tǒng)硅基器件具有更高的工作頻率和更低的能量損��
  3. 內置�(yōu)化的柵極驅動設計,減少了對外部電路的需�,簡化了系統(tǒng)設計�
  4. 支持硬開關和軟開關拓�,適應性更強�
  5. 提供強大的熱管理能力,確保在高負載條件下的穩(wěn)定運行�
  6. 符合RoHS標準,環(huán)保且可靠性高�

應用

BH25NB1WHFV-TR 主要應用于以下領域:
  1. 高頻DC-DC轉換�
  2. 服務器電源和電信電源
  3. 太陽能逆變�
  4. 電動車輛(EV)車載充電器
  5. 快速充電適配器
  6. 工業(yè)電機驅動控制
  7. 無線充電設備
  由于其高效性和高頻性能,這款器件非常適合需要高效率和小尺寸解決方案的應用場��

替代型號

BSC018N06NSG
  GAN042-650WSA
  IRGB4062DPBF

bh25nb1whfv-tr推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

bh25nb1whfv-tr資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
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bh25nb1whfv-tr參數(shù)

  • 特色�(chǎn)�CMOS LDO Regulators
  • 標準包裝1
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭PMIC - �(wěn)壓器 - 線�
  • 系列-
  • �(wěn)壓器拓撲結構�,固定式
  • 輸出電壓2.5V
  • 輸入電壓最� 5.5V
  • 電壓 - 壓降(標準)-
  • �(wěn)壓器�(shù)�1
  • 電流 - 輸出150mA(最小值)
  • 電流 - 限制(最小)-
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SOT-665
  • 供應商設備封�5-HVSOF
  • 包裝Digi-Reel®
  • 其它名稱BH25NB1WHFV-DKRBH25NB1WHFV-DKR-NDBH25NB1WHFVDKR
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