BFP460和H6327都是高頻晶體�,適用于射頻和微波應(yīng)用領(lǐng)�。BFP460是一種雙極性晶體管,采用硅鍺(SiGe)技�(shù)制造,具有較高的截止頻率(fT)和最大振蕩頻率(fMAX�,非常適合于高頻放大�、混頻器以及其他射頻電路�(shè)�。H6327則是一款基于砷化鎵(GaAs)材料的場效�(yīng)晶體管(FET�,主要用于低噪聲放大和高頻信號處��
BFP460通常被用于無線通信�(shè)備中的功率放大器、前置放大器以及高頻開關(guān)電路。而H6327因其高增益和低噪聲特�,在�(wèi)星通信、雷達系�(tǒng)以及測試測量儀器中表現(xiàn)出色�
型號:BFP460
類型:NPN雙硅鍺(SiGe�
工作電壓范圍�1V - 5V
最大集電極電流�180mA
最大集電極-�(fā)射極電壓�15V
截止頻率(fT):20GHz
最大振蕩頻率(fMAX):35GHz
型號:H6327
類型:場效應(yīng)晶體管(FET�
材料:砷化鎵(GaAs�
工作電壓范圍�1.5V - 5V
最大漏極電流:200mA
最大漏源電壓:12V
增益帶寬積:10GHz
噪聲系數(shù)�1dB
BFP460的關(guān)鍵特性在于其超高的截止頻率(20GHz)和最大振蕩頻率(35GHz),這使其能夠勝任高頻和高速應(yīng)�。此外,該晶體管還具備較低的寄生電容和電�,從而提升了其在高頻下的效率和線性度�
H6327的主要優(yōu)勢在于其基于砷化鎵(GaAs)的材料�(jié)�(gòu),這種材料賦予了它卓越的高頻性能和低噪聲特�。它的增益帶寬積高達10GHz,并且在1GHz以下頻率范圍�(nèi),噪聲系�(shù)可以低至1dB,這使得它成為低噪聲放大器的理想選��
兩者均采用了先進的封裝技�(shù),確保了良好的散熱性能和可靠性。BFP460一般使用SOT-363小型表面貼裝封裝,而H6327則采用SMD形式的陶瓷封裝以滿足高頻�(yīng)用需��
BFP460的應(yīng)用場景包括:
- 射頻功率放大�
- 高頻混頻�
- 無線通信前端模塊
- 微波開關(guān)
- 藍牙和Wi-Fi模塊
H6327的應(yīng)用場景包括:
- �(wèi)星通信接收�
- 雷達系統(tǒng)的低噪聲放大�
- 測試測量儀器中的高頻信號處�
- 光纖通信中的前置放大�
- 移動通信基站的射頻前�
BFP460: BFP462, BFP464, MRF219
H6327: HEMT系列其他型號如HMC311, ATF-54143