BAS21 T/R是一種雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor, BJT�,主要用于開(kāi)�(guān)和放大應(yīng)�。該器件屬于NPN類型,具有低飽和電壓和快速開(kāi)�(guān)特性,適用于多種電子電路設(shè)�(jì)。BAS21通常以T/R封裝形式提供,這種封裝體積小巧,適合高密度安裝�
BAS21在消�(fèi)電子、工�(yè)控制以及通信�(shè)備中有著廣泛的應(yīng)用場(chǎng)�,其典型工作頻率范圍支持較高速度的信�(hào)處理,同�(shí)保持較低的功耗�
集電�-�(fā)射極擊穿電壓�45V
集電極最大電流:200mA
直流電流增益(hFE):100-600
集電�-�(fā)射極飽和電壓�0.2V
存儲(chǔ)溫度范圍�-55°C�150°C
工作�(jié)溫范圍:-55°C�150°C
熱阻(RthJC):200K/W
總耗散功率�310mW
BAS21是一款高性能的小信號(hào)晶體�,其主要特性包括:
1. 低飽和電壓使得器件在�(kāi)�(guān)模式下更加高�,減少了能量損耗�
2. 高電流增益確保了較小的基極驅(qū)�(dòng)電流即可�(shí)�(xiàn)較大的集電極電流,從而提升了效率�
3. 快速的�(kāi)�(guān)速度使其能夠勝任高頻信號(hào)處理任務(wù)�
4. 寬廣的工作溫度范圍讓BAS21能夠在極端環(huán)境下可靠�(yùn)行�
5. 小巧的T/R封裝形式節(jié)省了PCB空間,非常適合便攜式�(shè)備和其他�(duì)尺寸敏感的應(yīng)��
此外,BAS21還具備良好的�(wěn)定性和一致�,便于批量生�(chǎn)和長(zhǎng)期使��
BAS21 T/R晶體管適用于以下�(yīng)用場(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)電路:如繼電器驅(qū)�(dòng)、LED�(qū)�(dòng)等�
2. 放大器:用于音頻信號(hào)放大、傳感器信號(hào)�(diào)理等�
3. 電源管理:在低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)或DC-DC�(zhuǎn)換器中作為控制元��
4. �(shù)字邏輯接口:�(shí)�(xiàn)不同電壓電平之間的轉(zhuǎn)��
5. 通信�(shè)備:如調(diào)制解�(diào)�、無(wú)線收�(fā)模塊中的信號(hào)處理部分�
6. 消費(fèi)電子�(chǎn)品:包括家用電器、玩�、遙控器��
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2SC1815
MPS2222A