BALF-NRG-02D3 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率�(zhuǎn)換芯�,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和高頻逆變器等�(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的封裝技�(shù)和設(shè)�(jì)工藝,能夠在高頻工作條件下提供出色的性能表現(xiàn)。它支持高達(dá)200V的工作電�,并具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),從而能夠顯著提升系�(tǒng)的整體效��
該芯片內(nèi)置了多種保護(hù)�(jī)制,如過(guò)流保�(hù)、過(guò)溫保�(hù)以及短路保護(hù)�,以確保其在�(fù)雜工作環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠�。此外,BALF-NRG-02D3 還兼容標(biāo)�(zhǔn)�(qū)�(dòng)信號(hào),簡(jiǎn)化了與現(xiàn)有系�(tǒng)的集成�
工作電壓�200V
�(dǎo)通電阻:15mΩ
最大電流:10A
�(kāi)�(guān)頻率�5MHz
�(jié)溫范圍:-40� � +150�
封裝形式:TO-263
BALF-NRG-02D3 的核心優(yōu)�(shì)在于其使用了第三代半�(dǎo)體材料氮化鎵(GaN�。這種材料相比傳統(tǒng)硅器件具有更高的電子遷移率和更低的寄生電�,使其非常適合高頻應(yīng)�。此�,BALF-NRG-02D3 的低�(dǎo)通電阻能夠減少功率損�,而快速的�(kāi)�(guān)速度則可以有效降低開(kāi)�(guān)損��
該芯片還采用了增�(qiáng)型設(shè)�(jì)(E-Mode),�(wú)需額外的偏置電路即可直接驅(qū)�(dòng),�(jìn)一步簡(jiǎn)化了系統(tǒng)�(shè)�(jì)。同�(shí),內(nèi)置的多重保護(hù)功能也使� BALF-NRG-02D3 在惡劣環(huán)境下仍能保持良好的工作狀�(tài)�
BALF-NRG-02D3 的小型化封裝�(jié)合高效的熱管理設(shè)�(jì),使它成為緊湊型功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
BALF-NRG-02D3 主要用于高頻功率�(zhuǎn)換場(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
- �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
- DC-DC �(zhuǎn)換器
- �(wú)線充電設(shè)�
- 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的DC-DC模塊
- 工業(yè)用高頻逆變�
- 太陽(yáng)能微逆變�
由于其高效率和小尺寸特點(diǎn),BALF-NRG-02D3 特別適合�(duì)空間和能量損耗要求較高的�(yīng)用場(chǎng)��
BALF-NRG-02D5
BALF-NRG-03D3
GAN042-020WS