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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IPB180N10S402ATMA1

IPB180N10S402ATMA1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 18:08:19 查看 閱讀�18

IPB180N10S402ATMA1 是一款由 Infineon(英飛凌)生�(chǎn)� N 沃型功率 MOSFET,采� TO-247-3 封裝形式。該器件專為高效率和高性能的開�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì),適用于工業(yè)、汽車和可再生能源領(lǐng)域。其卓越的導(dǎo)通電阻和低柵極電荷特性使其成為高效電源轉(zhuǎn)換的理想選擇�
  這款 MOSFET 的額定電壓為 100V,連續(xù)漏極電流可達(dá) 180A(在特定條件下),并具備出色的熱性能和電氣穩(wěn)定��

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  最大連續(xù)漏極電流�180A
  最大柵源電壓:±20V
  典型�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.6mΩ
  柵極電荷(Qg):115nC
  反向恢復(fù)�(shí)間(trr):95ns
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247-3

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))確保了更低的傳�(dǎo)損�,從而提高了整體系統(tǒng)效率�
  2. 超低的柵極電荷(Qg)使得開�(guān)損耗得以減�,適合高頻開�(guān)�(yīng)用�
  3. 快速的反向恢復(fù)�(shí)間(trr)有效降低了開關(guān)噪聲和能量損��
  4. 高額定電流能力(180A)支持大功率�(yīng)用需求�
  5. 工作�(jié)溫范圍寬廣(-55°C � +175°C�,能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
  6. 具備�(yōu)異的雪崩能力和魯棒�,增�(qiáng)了器件的可靠性和耐用性�

�(yīng)�

1. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和能源領(lǐng)域的太陽能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)
  3. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器和開�(guān)電源(SMPS�
  4. 電動(dòng)汽車(EV)牽引逆變�
  5. 大功率不間斷電源(UPS�
  6. 焊接�(shè)備和感應(yīng)加熱裝置
  7. 高頻�/軟開�(guān)�?fù)渲械墓β始?jí)

替代型號(hào)

IPW180N10S4L2G, IRFB4110PbF

ipb180n10s402atma1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ipb180n10s402atma1�(chǎn)�

ipb180n10s402atma1參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�1,800�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �50.16000剪切帶(CT�1,000 : �28.46319卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�100 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)180A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)2.5 毫歐 @ 100A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)3.5V @ 275μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)200 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)14600 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)300W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�PG-TO263-7-3
  • 封裝/外殼TO-263-7,D2Pak�6 引線 + 接片�