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US1J_R1_00101 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 14:10:42 查看 閱讀�19

US1J_R1_00101 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和直�-直流�(zhuǎn)換等�(yīng)�。該芯片采用了先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,能夠有效提升系�(tǒng)的效率和可靠性�
  其封裝形式緊�,適合高密度電路�(shè)�(jì),同�(shí)具備�(qiáng)大的電流承載能力,適用于多種工業(yè)及消�(fèi)類電子設(shè)備�

參數(shù)

型號(hào):US1J_R1_00101
  類型:N溝道 MOSFET
  最大漏源電�(Vdss)�60V
  最大柵極源極電�(Vgs):�20V
  最大漏極電�(Id)�30A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ
  總功�(Ptot)�150W
  工作溫度范圍(Ta)�-55°C � +175°C
  封裝:TO-247

特�

US1J_R1_00101 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),僅� 4mΩ,可顯著降低�(dǎo)通損�,提高整體系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)性能,具備較低的輸入電容和柵極電�,有助于減少開關(guān)損��
  3. �(qiáng)大的電流處理能力,最大漏極電流可�(dá) 30A,適�(yīng)各種高功率應(yīng)用場(chǎng)��
  4. 寬泛的工作溫度范� (-55°C � +175°C),確保在極端�(huán)境下仍能�(wěn)定運(yùn)��
  5. 緊湊� TO-247 封裝,便于集成到小型化設(shè)�(jì)中�
  6. �(nèi)置過溫保�(hù)功能,增�(qiáng)器件的安全性和可靠性�

�(yīng)�

US1J_R1_00101 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器,提供高效的功率�(zhuǎn)換解決方��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng),用于控制各類直流和�(wú)刷電�(jī)的速度與方向�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
  4. 汽車電子系統(tǒng),如電動(dòng)助力�(zhuǎn)向和剎車系統(tǒng)�
  5. 太陽(yáng)能逆變器及其他新能源相�(guān)�(shè)��

替代型號(hào)

US1J_R1_00102, US2J_R1_00101, IRFZ44N

us1j_r1_00101推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)