US1J_R1_00101 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和直�-直流�(zhuǎn)換等�(yīng)�。該芯片采用了先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,能夠有效提升系�(tǒng)的效率和可靠性�
其封裝形式緊�,適合高密度電路�(shè)�(jì),同�(shí)具備�(qiáng)大的電流承載能力,適用于多種工業(yè)及消�(fèi)類電子設(shè)備�
型號(hào):US1J_R1_00101
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�60V
最大柵極源極電�(Vgs):�20V
最大漏極電�(Id)�30A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ
總功�(Ptot)�150W
工作溫度范圍(Ta)�-55°C � +175°C
封裝:TO-247
US1J_R1_00101 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),僅� 4mΩ,可顯著降低�(dǎo)通損�,提高整體系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)性能,具備較低的輸入電容和柵極電�,有助于減少開關(guān)損��
3. �(qiáng)大的電流處理能力,最大漏極電流可�(dá) 30A,適�(yīng)各種高功率應(yīng)用場(chǎng)��
4. 寬泛的工作溫度范� (-55°C � +175°C),確保在極端�(huán)境下仍能�(wěn)定運(yùn)��
5. 緊湊� TO-247 封裝,便于集成到小型化設(shè)�(jì)中�
6. �(nèi)置過溫保�(hù)功能,增�(qiáng)器件的安全性和可靠性�
US1J_R1_00101 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器,提供高效的功率�(zhuǎn)換解決方��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng),用于控制各類直流和�(wú)刷電�(jī)的速度與方向�
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
4. 汽車電子系統(tǒng),如電動(dòng)助力�(zhuǎn)向和剎車系統(tǒng)�
5. 太陽(yáng)能逆變器及其他新能源相�(guān)�(shè)��
US1J_R1_00102, US2J_R1_00101, IRFZ44N