APHCM2012QBC/D-F01 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)動和 DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用。該芯片采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
該器件采� QFN 封裝形式,具有良好的散熱性能和緊湊的尺寸,適合對空間要求�(yán)格的場景�
型號:APHCM2012QBC/D-F01
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�30A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2mΩ(典型值)
總柵極電�(Qg)�45nC
反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�85ns
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:QFN
APHCM2012QBC/D-F01 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高開�(guān)速度�(shè)�(jì),降低了開關(guān)損�,并且在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��
3. 較高的雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件的魯棒�,在異常條件下可以更好地保護(hù)電路�
4. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,提升了抗靜電能�,確保產(chǎn)品在生產(chǎn)和使用過程中的可靠��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì),滿足全球環(huán)保法�(guī)要求�
該芯片廣泛應(yīng)用于多種�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS) � AC-DC 適配��
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)動和控制�
3. 電動汽車(EV) 和混合動力汽�(HEV) 的逆變器模��
4. DC-DC �(zhuǎn)換器和電池管理系�(tǒng)(BMS)�
5. 太陽能逆變器和其他高效能源�(zhuǎn)換設(shè)��
由于其出色的電氣性能和熱管理能力,該器件特別適合需要高效率和高可靠性的�(yīng)用環(huán)��
APM2012QBC/D-F01, IRF2012ZPBF