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APHCM2012QBC/D-F01 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 9:02:17 查看 閱讀�49

APHCM2012QBC/D-F01 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)動和 DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用。該芯片采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  該器件采� QFN 封裝形式,具有良好的散熱性能和緊湊的尺寸,適合對空間要求�(yán)格的場景�

參數(shù)

型號:APHCM2012QBC/D-F01
  類型:N溝道 MOSFET
  最大漏源電�(Vdss)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�30A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2mΩ(典型值)
  總柵極電�(Qg)�45nC
  反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�85ns
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:QFN

特�

APHCM2012QBC/D-F01 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高開�(guān)速度�(shè)�(jì),降低了開關(guān)損�,并且在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��
  3. 較高的雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件的魯棒�,在異常條件下可以更好地保護(hù)電路�
  4. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,提升了抗靜電能�,確保產(chǎn)品在生產(chǎn)和使用過程中的可靠��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì),滿足全球環(huán)保法�(guī)要求�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于多種�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS) � AC-DC 適配��
  2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)動和控制�
  3. 電動汽車(EV) 和混合動力汽�(HEV) 的逆變器模��
  4. DC-DC �(zhuǎn)換器和電池管理系�(tǒng)(BMS)�
  5. 太陽能逆變器和其他高效能源�(zhuǎn)換設(shè)��
  由于其出色的電氣性能和熱管理能力,該器件特別適合需要高效率和高可靠性的�(yīng)用環(huán)��

替代型號

APM2012QBC/D-F01, IRF2012ZPBF

aphcm2012qbc/d-f01推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

aphcm2012qbc/d-f01資料 更多>

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aphcm2012qbc/d-f01參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,000
  • 類別光電元件
  • 家庭LED -
  • 系列-
  • 顏色�(lán)
  • Millicandela 等級100mcd
  • 正向電壓3.3V
  • 電流 - 測試20mA
  • 波長 - �470nm
  • 波長 - 峰�468nm
  • 視角110°
  • 透鏡類型透明
  • 透鏡樣式/尺寸矩形,帶平頂, 1.3mm x 1.25mm
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 尺寸/尺寸2.00mm L x 1.25mm W
  • 高度0.40mm
  • 安裝類型表面貼裝
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 在特定電流下的光通量 - 測試-
  • 其它名稱754-1505-2