SIR846ADP-T1-GE3是一款由Vishay公司生產(chǎn)的MOSFET功率晶體�,采用TrenchFET? Gen III技�(shù)。該器件屬于邏輯電平增強型N溝道MOSFET,具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于多種功率�(zhuǎn)換應��
此型號的封裝形式為DFN8�3x3mm�,能夠提供出色的熱性能和電氣性能,非常適合用于空間受限的�(shè)��
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�12A
導通電阻(Rds(on)):2.7mΩ(典型�,當Vgs=10V時)
總柵極電荷:29nC(典型值)
輸入電容�1580pF(典型值)
工作溫度范圍�-55°C�+175°C
SIR846ADP-T1-GE3采用了先進的TrenchFET? Gen III技�(shù),具有以下特點:
1. 極低的導通電阻,在高電流應用中減少功��
2. 高效的開�(guān)性能,適合高頻DC-DC�(zhuǎn)換器�
3. 小尺寸DFN8封裝,節(jié)省PCB空間�
4. 良好的熱�(wěn)定性和可靠�,適用于嚴苛的工作環(huán)境�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保設(shè)��
6. 支持高電流負�,適用于多種功率應用場合�
這款MOSFET廣泛應用于各種電力電子領(lǐng)域,包括但不限于�
1. 便攜式設(shè)備中的負載開�(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器和降�/升壓�(zhuǎn)換器�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS��
4. 固態(tài)繼電器和電機�(qū)動電��
5. 通信�(shè)備中的電源管理模塊�
6. 汽車電子系統(tǒng)中的功率控制單元�
SIR846ANPBF, SiRA84DP, SIR846DN