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SIR846ADP-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/9 13:06:03 查看 閱讀�25

SIR846ADP-T1-GE3是一款由Vishay公司生產(chǎn)的MOSFET功率晶體�,采用TrenchFET? Gen III技�(shù)。該器件屬于邏輯電平增強型N溝道MOSFET,具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于多種功率�(zhuǎn)換應��
  此型號的封裝形式為DFN8�3x3mm�,能夠提供出色的熱性能和電氣性能,非常適合用于空間受限的�(shè)��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±8V
  連續(xù)漏極電流�12A
  導通電阻(Rds(on)):2.7mΩ(典型�,當Vgs=10V時)
  總柵極電荷:29nC(典型值)
  輸入電容�1580pF(典型值)
  工作溫度范圍�-55°C�+175°C

特�

SIR846ADP-T1-GE3采用了先進的TrenchFET? Gen III技�(shù),具有以下特點:
  1. 極低的導通電阻,在高電流應用中減少功��
  2. 高效的開�(guān)性能,適合高頻DC-DC�(zhuǎn)換器�
  3. 小尺寸DFN8封裝,節(jié)省PCB空間�
  4. 良好的熱�(wěn)定性和可靠�,適用于嚴苛的工作環(huán)境�
  5. 符合RoHS標準,環(huán)保設(shè)��
  6. 支持高電流負�,適用于多種功率應用場合�

應用

這款MOSFET廣泛應用于各種電力電子領(lǐng)域,包括但不限于�
  1. 便攜式設(shè)備中的負載開�(guān)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器和降�/升壓�(zhuǎn)換器�
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS��
  4. 固態(tài)繼電器和電機�(qū)動電��
  5. 通信�(shè)備中的電源管理模塊�
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的功率控制單元�

替代型號

SIR846ANPBF, SiRA84DP, SIR846DN

sir846adp-t1-ge3推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
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  • 詢價

sir846adp-t1-ge3資料 更多>

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sir846adp-t1-ge3參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C60A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.8 毫歐 @ 20A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs66nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2350pF @ 50V
  • 功率 - 最�83W
  • 安裝類型*
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8
  • 供應商設(shè)備封�PowerPAK? SO-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SIR846ADP-T1-GE3TR