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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > AON7532E

AON7532E 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/24 16:58:29 查看 閱讀�17

AON7532E是Alpha & Omega Semiconductor(萬(wàn)代半�(dǎo)體)推出的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用TOLL封裝形式,適用于高效率、高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)�。其低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性使其成為電源管理應(yīng)用的理想選擇,例如AC-DC適配�、充電器以及各種�(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�。此�,AON7532E還具備出色的熱性能和電氣性能,可確保在嚴(yán)苛環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行�
  AON7532E的主要特�(diǎn)包括超低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,優(yōu)化了傳導(dǎo)損�;同�(shí)具備較低的柵極電荷(Qg),有助于減少開(kāi)�(guān)損�。這些特性共同作�,使得該器件能夠?qū)崿F(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換�

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�46A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.2mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
  柵極電荷�48nC(典型值)
  輸入電容�2020pF(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
  封裝形式:TOLL

特�

AON7532E是一款專(zhuān)為高效功率轉(zhuǎn)換設(shè)�(jì)的MOSFET,具有以下顯著特性:
  1. 超低�(dǎo)通電阻(Rds(on)):其典型值僅�2.2mΩ,這大大降低了功率損�,從而提高了整體系統(tǒng)效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)性能:得益于其低柵極電荷�48nC典型值),AON7532E能夠在高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色,減少了�(kāi)�(guān)損��
  3. 高電流承載能力:連續(xù)漏極電流高達(dá)46A,滿(mǎn)足大功率�(yīng)用需��
  4. �(yōu)異的熱性能:TOLL封裝形式提供了卓越的散熱能力,支持更高的功率密度�
  5. 寬工作溫度范圍:支持�-55℃到+175℃的工作�(jié)溫范�,適�(yīng)各種極端�(huán)境條��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn):環(huán)保設(shè)�(jì),滿(mǎn)足國(guó)際法�(guī)要求�

�(yīng)�

AON7532E因其卓越的性能,廣泛應(yīng)用于多種高功率密度和高效能需求的�(lǐng)�,具體應(yīng)用包括:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS):適用于各�(lèi)高效電源�(zhuǎn)換方�,如PFC升壓電路�
  2. AC-DC適配器和充電器:由于其低損耗特�,非常適合用于便攜式�(shè)備的充電解決方案�
  3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng):提供高電流輸出以支持工�(yè)自動(dòng)化中的電�(jī)控制�
  4. 電信和服�(wù)器電源:在需要高可靠性和高效能的通信基礎(chǔ)�(shè)施和�(shù)�(jù)中心電源中表�(xiàn)�(yōu)異�
  5. 汽車(chē)電子:在汽車(chē)�(yīng)用中,如DC-DC�(zhuǎn)換器和負(fù)載切換等�(chǎng)�,AON7532E也能提供�(wěn)定性能�

替代型號(hào)

AON7532

aon7532e推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

aon7532e參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列AlphaMOS
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • FET �(lèi)�N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�30 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)30.5A(Ta��28A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)3.5 毫歐 @ 20A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)40 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)1950 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)5W(Ta),28W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�8-DFN�3x3�
  • 封裝/外殼8-SMD,扁平引�