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AON6998 發(fā)布時間 時間:2025/5/29 8:36:16 查看 閱讀:10

AON6998是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用先進(jìn)的制程工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,適用于多種電源管理應(yīng)用,包括負(fù)載開關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池保護(hù)電路等。AON6998以出色的性能和可靠性著稱,能夠在高頻率下實現(xiàn)高效能的功率轉(zhuǎn)換。

參數(shù)

型號:AON6998
  類型:N-Channel MOSFET
  封裝:SOT-23
  Vds(漏源電壓):30V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻):75mΩ @ Vgs=4.5V
  Vgs(th)(閾值電壓):1.2V ~ 2.5V
  Ids(連續(xù)漏極電流):4.2A
  f(tsw)(最大工作頻率):5MHz
  功耗:480mW
  工作溫度范圍:-55°C ~ 150°C

特性

AON6998是一種小型化的高效功率開關(guān)器件,具備以下關(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠有效降低傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 快速開關(guān)能力,支持高頻應(yīng)用,適合現(xiàn)代緊湊型設(shè)計需求。
  3. 小尺寸SOT-23封裝,便于在空間受限的設(shè)計中使用。
  4. 高可靠性和穩(wěn)定性,確保在各種嚴(yán)苛環(huán)境下的長期運行。
  5. 寬工作溫度范圍,適應(yīng)從低溫到高溫的各種應(yīng)用場景。
  6. 較低的柵極電荷(Qg),有助于減少開關(guān)損耗并提高動態(tài)性能。
  7. 閾值電壓范圍合理,可與多種控制邏輯兼容。

應(yīng)用

AON6998廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備中的功率管理環(huán)節(jié),具體包括:
  1. 移動設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
  3. 電池供電系統(tǒng)的保護(hù)電路。
  4. 消費類電子產(chǎn)品中的電源管理模塊。
  5. 計算機外設(shè)及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的開關(guān)控制。
  6. 電機驅(qū)動和LED照明中的開關(guān)組件。
  AON6998憑借其高性能和小體積,在便攜式設(shè)備和高密度電路板設(shè)計中特別受歡迎。

替代型號

AON6999, AON6988, AO3400

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aon6998參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格3,000 : ¥3.77469卷帶(TR)
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)不適用于新設(shè)計
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 配置2 N 溝道(雙)非對稱型
  • FET 功能-
  • 漏源電壓(Vdss)30V
  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)19A,26A
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)5.2 毫歐 @ 20A,10V
  • 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值)13nC @ 10V
  • 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)820pF @ 15V
  • 功率 - 最大值3.1W
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 封裝/外殼8-PowerWDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝8-DFN(5x6)