MGSF1N03LT1G 是一款由 Microchip 生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TLF3 封裝形式,適用于多種�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)�。其低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性使其成為高效率�(shè)�(jì)的理想選��
該器件能夠在高達(dá) 30V 的電壓下工作,并具備良好的熱性能,從而提高了系統(tǒng)的可靠性和�(wěn)定�。由于其出色的電氣特性和封裝�(shè)�(jì),MGSF1N03LT1G 廣泛�(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)�、工�(yè)控制及汽車電子領(lǐng)��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�48A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.2mΩ
柵極電荷�58nC
輸入電容�1670pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
MGSF1N03LT1G 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,減少開(kāi)�(guān)損�,適合高頻應(yīng)用�
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)器件在異常條件下的魯棒性�
4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),確保環(huán)保合�(guī)�
5. 支持表面貼裝技�(shù)(SMD�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和高效組��
6. 出色的熱性能,允許更高的功率密度和更緊湊的設(shè)�(jì)�
此外,其耐熱增強(qiáng)型封裝設(shè)�(jì)可以有效提升散熱性能,延�(zhǎng)使用壽命�
MGSF1N03LT1G 可廣泛應(yīng)用于以下�(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心開(kāi)�(guān)元件�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)和切換功��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)裝置�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換和�(qū)�(dòng)模塊�
憑借其卓越的性能和可靠性,MGSF1N03LT1G 成為許多高性能功率�(yīng)用的首選解決方案�
MGSF1N03LT1GA, MGSF1N03LT1GB