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MGSF1N03LT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 18:37:52 查看 閱讀�29

MGSF1N03LT1G 是一款由 Microchip 生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TLF3 封裝形式,適用于多種�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)�。其低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性使其成為高效率�(shè)�(jì)的理想選��
  該器件能夠在高達(dá) 30V 的電壓下工作,并具備良好的熱性能,從而提高了系統(tǒng)的可靠性和�(wěn)定�。由于其出色的電氣特性和封裝�(shè)�(jì),MGSF1N03LT1G 廣泛�(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)�、工�(yè)控制及汽車電子領(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�48A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.2mΩ
  柵極電荷�58nC
  輸入電容�1670pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

MGSF1N03LT1G 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力,減少開(kāi)�(guān)損�,適合高頻應(yīng)用�
  3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)器件在異常條件下的魯棒性�
  4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),確保環(huán)保合�(guī)�
  5. 支持表面貼裝技�(shù)(SMD�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和高效組��
  6. 出色的熱性能,允許更高的功率密度和更緊湊的設(shè)�(jì)�
  此外,其耐熱增強(qiáng)型封裝設(shè)�(jì)可以有效提升散熱性能,延�(zhǎng)使用壽命�

�(yīng)�

MGSF1N03LT1G 可廣泛應(yīng)用于以下�(chǎng)景:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心開(kāi)�(guān)元件�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)和切換功��
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)裝置�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換和�(qū)�(dòng)模塊�
  憑借其卓越的性能和可靠性,MGSF1N03LT1G 成為許多高性能功率�(yīng)用的首選解決方案�

替代型號(hào)

MGSF1N03LT1GA, MGSF1N03LT1GB

mgsf1n03lt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

mgsf1n03lt1g資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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mgsf1n03lt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.6A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫歐 @ 1.2A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs-
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds140pF @ 5V
  • 功率 - 最�420mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MGSF1N03LT1GOSMGSF1N03LT1GOS-NDMGSF1N03LT1GOSTR