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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > AON6850

AON6850 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/22 10:11:14 查看 閱讀�18

AON6850是東�(Toshiba)公司推出的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET功率晶體�。該器件采用TO-263-3L封裝形式,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流承載能�,適合用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載切換以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域�
  這款MOSFET的主要特�(diǎn)是其低導(dǎo)通電�(Rds(on))特�,在典型工作條件下能夠顯著降低功率損耗,從而提高整體效�。此�,AON6850還具備快速開(kāi)�(guān)速度,有助于減少�(kāi)�(guān)損耗并�(yōu)化高頻電路性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�40A
  �(dǎo)通電阻:3.5mΩ(在Vgs=10V�(shí))
  柵極電荷�46nC
  總功耗:129W
  工作溫度范圍�-55� to +175�

特�

AON6850擁有出色的電氣性能,包括低�(dǎo)通電阻和高電流承載能力,這些特性使其成為高效功率管理的理想選擇�
  低Rds(on)值可以有效降低傳�(dǎo)損�,特別是在大電流�(yīng)用場(chǎng)景下表現(xiàn)更為明顯�
  該器件的快速開(kāi)�(guān)速度也使其非常適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)�,例如開(kāi)�(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器等�
  AON6850的封裝形式TO-263-3L提供了良好的散熱性能,同�(shí)�(jiǎn)化了印刷電路板布局�(shè)�(jì)�(guò)��
  由于其寬泛的工作溫度范圍,AON6850能夠在極端環(huán)境條件下�(wěn)定運(yùn)�,適用于工業(yè)控制、汽車電子以及其他對(duì)可靠性要求較高的�(lǐng)��

�(yīng)�

AON6850廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(shè)備中,主要包括以下幾類:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):利用其低導(dǎo)通電阻特性來(lái)提高�(zhuǎn)換效率,減少能量損失�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器:支持高效的電壓�(diào)節(jié)功能,適用于便攜式設(shè)備及嵌入式系�(tǒng)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):提供強(qiáng)大的電流輸出能力,確保電�(jī)平穩(wěn)�(yùn)�(zhuǎn)�
  4. �(fù)載切換:�(shí)�(xiàn)快速可靠的電路保護(hù)與切換操��
  5. 汽車電子:如電動(dòng)助力�(zhuǎn)向系�(tǒng)、制�(dòng)控制系統(tǒng)等需要高性能功率器件支持的應(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FDP5500
  STP40NF06L

aon6850推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

aon6850�(chǎn)�

aon6850參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列SDMOS™
  • FET �2 �(gè) N 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C28A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫歐 @ 5A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs29nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1840pF @ 50V
  • 功率 - 最�1.7W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-VDFN 裸露焊盤
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-DFN-EP�5x6�
  • 包裝帶卷 (TR)