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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > GBLC08I-LF-T7

GBLC08I-LF-T7 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 17:01:36 查看 閱讀�10

GBLC08I-LF-T7 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的高效功率轉(zhuǎn)換芯片,專為高頻�、高效率�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝工藝,具備低寄生電感和出色的散熱性能,適用于開關(guān)電源、快充適配器以及其他高頻功率�(zhuǎn)換場��
  該芯片內(nèi)置了�(yōu)化的�(qū)動電路和保護(hù)�(jī)�,能夠在高頻工作條件下提供穩(wěn)定的性能表現(xiàn),同�(shí)降低系統(tǒng)�(shè)�(jì)�(fù)雜度�

參數(shù)

型號:GBLC08I-LF-T7
  類型:GaN 功率晶體�
  最大漏源電壓:650 V
  連續(xù)漏極電流�8 A
  �(dǎo)通電阻:150 mΩ
  柵極電荷�40 nC
  開關(guān)頻率:最高支� 2 MHz
  封裝形式:LF 封裝
  工作溫度范圍�-40°C � +125°C

特�

GBLC08I-LF-T7 的主要特性包括:
  1. 高效� GaN 技�(shù):相比傳�(tǒng)硅基 MOSFET,具有更低的�(dǎo)通電阻和開關(guān)損�,提升整體效��
  2. 高頻性能:支持高�(dá) 2 MHz 的開�(guān)頻率,有助于減小磁性元件體積,�(shí)�(xiàn)更緊湊的�(shè)�(jì)�
  3. �(nèi)置保�(hù)功能:集成了過溫保護(hù)、過流保�(hù)等功�,提升了系統(tǒng)的可靠性和安全性�
  4. 低寄生電感封裝:采用 LF 封裝技�(shù),大幅減少寄生效�(yīng),提高高頻性能�
  5. 易于�(qū)動:�(yōu)化的�(qū)動電路設(shè)�(jì)降低了對�(qū)動器的要求,簡化了外圍電路設(shè)�(jì)�

�(yīng)�

GBLC08I-LF-T7 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):適用于各種高效率 AC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. USB-PD 快充適配器:利用其高頻性能�(shí)�(xiàn)小型化和高效化的快充方案�
  3. LED �(qū)動器:在高亮� LED 照明系統(tǒng)中提供穩(wěn)定高效的電源管理�
  4. 無線充電模塊:支持更高效率的能量傳輸,滿足新一代無線充電需求�
  5. 工業(yè)電源:用于工�(yè)�(shè)備中的高頻功率轉(zhuǎn)換部�,提升系�(tǒng)性能�

替代型號

GBLC08I-HF-T7, GBLC10I-LF-T7

gblc08i-lf-t7推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)