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AON6796 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/23 21:52:32 查看 閱讀：15

AON6796 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor (萬(wàn)代半導(dǎo)體) 推出的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用先進(jìn)的制程工藝制造，具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能，適用于多種高效能電源管理應(yīng)用。AON6796 的封裝形式為 LFPAK8 封裝（Power8），具有良好的散熱性能和緊湊設(shè)計(jì)，適合高密度電路板布局。
　　AON6796 在消費(fèi)電子、通信設(shè)備以及工業(yè)控制領(lǐng)域中被廣泛使用，其優(yōu)異的電氣特性和可靠性使其成為眾多設(shè)計(jì)工程師的理想選擇。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　連續(xù)漏極電流：14A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：1.2mΩ
　　柵極電荷：19nC
　　工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
　　封裝形式：LFPAK8

特性

AON6796 具有以下顯著特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)，能夠有效降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)速度，支持高頻操作，減少開(kāi)關(guān)損耗。
　　3. 優(yōu)化的柵極電荷 Qg 和輸入電容 Ciss 參數(shù)，可簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。
　　4. 工作溫度范圍寬廣，適應(yīng)各種極端環(huán)境條件。
　　5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且可靠。
　　6. 封裝小型化，便于在高密度 PCB 板上集成。
　　7. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能，提升抗靜電能力。

應(yīng)用

AON6796 廣泛應(yīng)用于以下場(chǎng)景：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流器。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的主開(kāi)關(guān)或同步整流元件。
　　3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的負(fù)載開(kāi)關(guān)或保護(hù)開(kāi)關(guān)。
　　4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)元件。
　　5. 計(jì)算機(jī)及外設(shè)中的多相供電解決方案。
　　6. LED 驅(qū)動(dòng)器中的功率開(kāi)關(guān)。
　　7. 各類(lèi)便攜式電子設(shè)備的電源管理模塊。

替代型號(hào)

AON6798, AON6797

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aon6796參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格3,000 : ￥1.98501卷帶（TR）
  • 系列SRFET?
  • 包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)不適用于新設(shè)計(jì)
  • FET 類(lèi)型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）30 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)32A（Ta），70A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）3.9 毫歐 @ 20A，10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）1.9V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）23 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±12V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）1350 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）6.2W（Ta），31W（Tc）
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝8-DFN（5x6）
  • 封裝/外殼8-PowerSMD，扁平引線