SI2308BDS-T1-E3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 功率晶體�。該器件采用小型化的 TrenchFET? Gen III 技�(shù)制造,具有極低的導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度,適用于高頻功率�(zhuǎn)換應(yīng)��
該芯片主要應(yīng)用于電源管理、DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、同步整流等�(lǐng)�,其出色的性能使其成為眾多高效能電子設(shè)備的理想選擇�
型號:SI2308BDS-T1-E3
封裝:TSSOP-8
Vds(漏源電壓)�40V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻,典型值)�6.5mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):72A
Ptot(總功耗)�1.75W
f(工作頻率范圍):支持高�(dá) MHz 級別
Qg(柵極電�,典型值)�9nC
Vgs(th)(柵極閾值電壓)�1.5V � 3V
�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
SI2308BDS-T1-E3 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),可以顯著降低傳�(dǎo)損��
2. 高效的開�(guān)性能,適用于高頻功率�(zhuǎn)換場��
3. 支持高電流運(yùn)行,能夠滿足大功率需��
4. 具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�
6. 小尺寸封裝設(shè)�(jì),有助于節(jié)� PCB 空間并提高布局靈活性�
7. 可靠性高,適用于工業(yè)級及消費(fèi)類電子產(chǎn)��
SI2308BDS-T1-E3 廣泛用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
2. 各種 DC-DC �(zhuǎn)換器的設(shè)�(jì)�
3. �(fù)載開�(guān)在筆記本電腦、平板電腦等便攜式設(shè)備中的使��
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中作為�(guān)鍵控制元件�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的驅(qū)動電��
6. LED 照明�(qū)動電路中的高效開�(guān)元件�
SI2305DS, SI2306DS, SI2307DS