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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SI2308BDS-T1-E3

SI2308BDS-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 13:33:00 查看 閱讀�20

SI2308BDS-T1-E3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 功率晶體�。該器件采用小型化的 TrenchFET? Gen III 技�(shù)制造,具有極低的導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度,適用于高頻功率�(zhuǎn)換應(yīng)��
  該芯片主要應(yīng)用于電源管理、DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、同步整流等�(lǐng)�,其出色的性能使其成為眾多高效能電子設(shè)備的理想選擇�

參數(shù)

型號:SI2308BDS-T1-E3
  封裝:TSSOP-8
  Vds(漏源電壓)�40V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻,典型值)�6.5mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):72A
  Ptot(總功耗)�1.75W
  f(工作頻率范圍):支持高�(dá) MHz 級別
  Qg(柵極電�,典型值)�9nC
  Vgs(th)(柵極閾值電壓)�1.5V � 3V
  �(jié)溫范圍:-55°C � +175°C

特�

SI2308BDS-T1-E3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),可以顯著降低傳�(dǎo)損��
  2. 高效的開�(guān)性能,適用于高頻功率�(zhuǎn)換場��
  3. 支持高電流運(yùn)行,能夠滿足大功率需��
  4. 具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�
  6. 小尺寸封裝設(shè)�(jì),有助于節(jié)� PCB 空間并提高布局靈活性�
  7. 可靠性高,適用于工業(yè)級及消費(fèi)類電子產(chǎn)��

�(yīng)�

SI2308BDS-T1-E3 廣泛用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
  2. 各種 DC-DC �(zhuǎn)換器的設(shè)�(jì)�
  3. �(fù)載開�(guān)在筆記本電腦、平板電腦等便攜式設(shè)備中的使��
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中作為�(guān)鍵控制元件�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的驅(qū)動電��
  6. LED 照明�(qū)動電路中的高效開�(guān)元件�

替代型號

SI2305DS, SI2306DS, SI2307DS

si2308bds-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

si2308bds-t1-e3資料 更多>

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si2308bds-t1-e3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C156 毫歐 @ 1.9A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs6.8nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds190pF @ 30V
  • 功率 - 最�1.66W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI2308BDS-T1-E3-NDSI2308BDS-T1-E3TR