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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > AON6572

AON6572 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 20:14:02 查看 閱讀�37

AON6572是一款由Alpha & Omega Semiconductor(萬(wàn)�(guó)半導(dǎo)體)生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用先�(jìn)的制程技�(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),非常適合用于消�(fèi)電子、計(jì)算機(jī)及外�(shè)、通信�(shè)備等�(lǐng)域的電源管理�(yīng)用�
  該芯片主要應(yīng)用于�(fù)載開(kāi)�(guān)、同步整�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率控制的�(chǎng)�。其封裝形式為小型化的SOT-23封裝,有助于節(jié)省PCB空間,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)小型化和高效能的需��

參數(shù)

最大漏源電�(Vds)�30V
  最大柵源電�(Vgs):�8V
  持續(xù)漏極電流(Id)�4.9A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�180mΩ(在Vgs=4.5V�(shí)�
  柵極電荷(Qg)�4nC
  總功�(Ptot)�550mW
  工作溫度范圍(Topr)�-55℃至+150�

特�

AON6572具備以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了高效的功率傳輸并減少了發(fā)��
  2. 高速開(kāi)�(guān)性能使得其非常適合高頻DC-DC�(zhuǎn)換器�(yīng)用�
  3. 小尺寸SOT-23封裝便于在緊湊設(shè)�(jì)中使��
  4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
  5. 寬泛的工作溫度范圍使其能夠適�(yīng)多種�(huán)境條件下的應(yīng)用需��

�(yīng)�

AON6572廣泛�(yīng)用于各種�(lǐng)域中的功率控制場(chǎng)�,包括但不限于:
  1. 移動(dòng)�(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)控制�
  2. 各類便攜式電子產(chǎn)品的電池管理系統(tǒng)�
  3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源適配器和充電��
  4. 工業(yè)�(shè)備中的小型化電源模塊�
  5. LED�(qū)�(dòng)電路以及各類DC-DC�(zhuǎn)換器�(shè)�(jì)�

替代型號(hào)

AON6508, AON6510, AON6511

aon6572推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

aon6572參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�3,000 : �2.69912卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)不適用于新設(shè)�(jì)
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�30 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)36A(Ta��85A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)3.2 毫歐 @ 20A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)65 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)3290 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6.2W(Ta��48W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�8-DFN�5x6�
  • 封裝/外殼8-PowerSMD,扁平引�