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AON6403 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/28 8:58:55 查看 閱讀:8

AON6403是一款由Alpha & Omega Semiconductor(萬國半導(dǎo)體)生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用小型化的SOT-23封裝形式,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),適合用于各種便攜式設(shè)備、消費(fèi)類電子產(chǎn)品以及工業(yè)控制中的負(fù)載開關(guān)、電源管理電路和同步整流等應(yīng)用場景。
  由于其出色的電氣性能和緊湊的封裝尺寸,AON6403被廣泛應(yīng)用于需要高效能、小體積設(shè)計(jì)的場合。

參數(shù)

型號(hào):AON6403
  類型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
  封裝:SOT-23
  最大漏源電壓(VDS):30V
  最大柵源電壓(VGS):±8V
  連續(xù)漏極電流(ID):2.7A(@Tc=25℃)
  導(dǎo)通電阻(RDS(on)):100mΩ(@VGS=4.5V),150mΩ(@VGS=2.5V)
  總功耗(Ptot):420mW
  工作溫度范圍(TJ):-55℃ to 150℃

特性

AON6403的核心優(yōu)勢在于其優(yōu)異的電氣性能與緊湊的物理尺寸。以下是其主要特點(diǎn):
  1. 極低的導(dǎo)通電阻RDS(on),有助于減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率。
  2. 支持高達(dá)30V的漏源電壓(VDS),能夠滿足大多數(shù)低壓應(yīng)用需求。
  3. 具備快速開關(guān)能力,適用于高頻操作環(huán)境。
  4. SOT-23封裝形式使其非常適合空間受限的設(shè)計(jì)場景。
  5. 工作溫度范圍寬廣,從-55℃到150℃均可穩(wěn)定運(yùn)行,增強(qiáng)了產(chǎn)品的可靠性和適應(yīng)性。
  6. 靜電防護(hù)性能良好,符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn),便于生產(chǎn)加工及實(shí)際使用。

應(yīng)用

AON6403因其卓越的性能表現(xiàn)而適用于眾多領(lǐng)域:
  1. 消費(fèi)電子類產(chǎn)品中的負(fù)載開關(guān),例如手機(jī)、平板電腦等。
  2. 各類便攜式設(shè)備的電源管理單元,如電池充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等。
  3. 在LED驅(qū)動(dòng)電路中作為開關(guān)元件。
  4. 工業(yè)自動(dòng)化控制領(lǐng)域的信號(hào)隔離與切換。
  5. 通信設(shè)備中的輔助電源模塊。
  6. 計(jì)算機(jī)外設(shè)及網(wǎng)絡(luò)硬件中的同步整流功能實(shí)現(xiàn)。

替代型號(hào)

AO3403,AONR2723,MDD6403,SI2302DS

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aon6403參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C85A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.1 毫歐 @ 20A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs196nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds9120pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-VDFN 裸露焊盤
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-DFN-EP(5x6)
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱785-1339-6