GA1210A391FBCAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的溝槽式MOSFET技術(shù),具備低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提升系統(tǒng)的效率和性能。
該芯片的工作電壓范圍寬廣,能夠在惡劣的電氣環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。同時(shí),其封裝形式緊湊,適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景,廣泛適用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制和汽車電子等領(lǐng)域。
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓VDS:120V
最大柵源電壓VGS:±20V
最大連續(xù)漏極電流ID:30A
導(dǎo)通電阻RDS(on):4.5mΩ(在VGS=10V時(shí))
總功耗PD:180W
工作結(jié)溫范圍Tj:-55℃至+175℃
封裝形式:TO-263
GA1210A391FBCAR31G具有以下顯著特性:
1. 超低導(dǎo)通電阻:通過(guò)優(yōu)化的溝槽結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),大幅降低了導(dǎo)通損耗,提升了整體效率。
2. 快速開關(guān)能力:具備較低的輸入電容和輸出電容,支持高頻開關(guān)應(yīng)用。
3. 高可靠性:采用堅(jiān)固的封裝和內(nèi)部保護(hù)電路設(shè)計(jì),確保在極端條件下的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。
4. 熱性能優(yōu)異:出色的熱傳導(dǎo)設(shè)計(jì)使得器件在大電流條件下也能保持較低的溫度。
5. 寬工作電壓范圍:支持高達(dá)120V的漏源電壓,適應(yīng)多種應(yīng)用場(chǎng)景。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn):環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
該芯片適用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):包括AC-DC適配器和逆變器等。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):用于無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)和其他類型的電機(jī)控制。
3. DC-DC轉(zhuǎn)換器:為各種電子設(shè)備提供高效的電壓轉(zhuǎn)換。
4. 工業(yè)自動(dòng)化:如伺服驅(qū)動(dòng)器、PLC控制器中的功率管理模塊。
5. 汽車電子:適用于車載充電器、LED驅(qū)動(dòng)和電動(dòng)車窗系統(tǒng)等。
6. 其他應(yīng)用:包括不間斷電源(UPS)、電池管理系統(tǒng)(BMS)以及太陽(yáng)能微逆變器等。
GA1210A392FBCAR31G, IRFZ44N, FDP55N10