AOD380A60C是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,主要用于高頻和高功率應(yīng)�。它采用先進的封裝�(shè)�,能�?qū)崿F(xiàn)卓越的開�(guān)性能和熱管理能力。該器件適用于電源管�、通信�(shè)�、工�(yè)�(qū)動等場景�
型號:AOD380A60C
類型:增強型MOSFET
材料:氮化鎵(GaN�
最大漏源電壓(Vds):600V
最大漏極電流(Id):12A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.15Ω
柵極電荷(Qg):70nC
開關(guān)頻率:最高可�5MHz
工作溫度范圍�-40℃至+125�
AOD380A60C具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,這使得它在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
此外,其高擊穿電壓使其非常適合高壓環(huán)境下的操作。與傳統(tǒng)硅基MOSFET相比,這款器件具備更高的效率和更低的損�,有助于提升系統(tǒng)的整體性能�
GaN材料的應(yīng)用也賦予了該晶體管更�(yōu)的熱�(wěn)定性和可靠�,進一步拓寬了其使用范��
AOD380A60C廣泛�(yīng)用于各種高要求領(lǐng)�,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 無線充電�(shè)�
4. 工業(yè)電機�(qū)�
5. 光伏逆變�
6. 電動汽車充電�
7. 高頻通信系統(tǒng)
這些�(yīng)用都得益于其高效能、低損耗和高溫適應(yīng)性等特點�
AOD380A60B, AON6945, Infineon IPW60R090C6