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AO4862E 發(fā)布時間 時間:2025/5/20 8:54:43 查看 閱讀:17

AO4862E是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該器件采用超小型DFN3.3封裝,具有極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),非常適合于空間受限的應(yīng)用場景。其低導(dǎo)通電阻特性有助于減少功率損耗,提高效率,因此在便攜式設(shè)備、電源管理以及開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
  AO4862E的工作電壓范圍為30V,能夠承受較高的漏源電壓,同時具備快速開關(guān)性能,適用于高頻電路設(shè)計。此外,該器件還支持大電流負(fù)載,從而滿足多種應(yīng)用需求。

參數(shù)

最大漏源電壓(Vds):30V
  最大柵源電壓(Vgs):±8V
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):7mΩ(典型值,在Vgs=10V時)
  連續(xù)漏極電流(Id):5A
  總功耗(Ptot):920mW
  結(jié)溫范圍(Tj):-55°C至+150°C
  封裝類型:DFN33-2L

特性

AO4862E的主要特點(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻和緊湊的封裝形式。這種設(shè)計不僅降低了傳導(dǎo)損耗,還顯著減少了PCB面積占用,適合用于對尺寸敏感的設(shè)計。
  1. **低導(dǎo)通電阻**:在典型工作條件下,Rds(on)僅為7mΩ,有助于提升系統(tǒng)效率。
  2. **高電流能力**:能夠處理高達(dá)5A的連續(xù)漏極電流,確保穩(wěn)定運(yùn)行。
  3. **快速開關(guān)性能**:由于采用了先進(jìn)的制造工藝,該器件的開關(guān)速度較快,適合高頻應(yīng)用。
  4. **小尺寸封裝**:使用DFN3.3封裝,節(jié)省了寶貴的電路板空間。
  5. **寬工作溫度范圍**:能夠在極端溫度環(huán)境下正常工作,適應(yīng)各種工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用場景。

應(yīng)用

AO4862E廣泛應(yīng)用于需要高效能和小型化的場景,包括但不限于:
  1. **便攜式電子設(shè)備**:如智能手機(jī)、平板電腦和其他電池供電設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)。
  2. **電源管理**:DC-DC轉(zhuǎn)換器、降壓/升壓穩(wěn)壓器等電路。
  3. **電機(jī)驅(qū)動**:小型電機(jī)控制及保護(hù)。
  4. **電池保護(hù)電路**:用于防止過充或過放電的電路設(shè)計。
  5. **信號切換**:音頻、視頻信號切換等高速切換場合。

替代型號

AO4862

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  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ao4862e參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格3,000 : ¥1.25502卷帶(TR)
  • 系列AlphaMOS
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)不適用于新設(shè)計
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 配置2 N-通道(雙)
  • FET 功能-
  • 漏源電壓(Vdss)30V
  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)4.5A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)46 毫歐 @ 4.5A,10V
  • 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值)6nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)215pF @ 15V
  • 功率 - 最大值1.7W
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商器件封裝8-SOIC