AO4435是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用超小型DFN2020-6封裝,適用于需要低�(dǎo)通電阻和高效能的�(yīng)用場(chǎng)合。AO4435具有極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在較低的電壓下能夠提供高效的開(kāi)�(guān)性能,非常適合便攜式�(shè)備、消�(fèi)電子以及通信�(shè)備中的電源管理應(yīng)��
這款MOSFET的最大特�(diǎn)是其出色的開(kāi)�(guān)特性和耐熱性,能夠在高頻條件下�(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)�。此�,由于其體積小巧,AO4435也特別適合空間受限的�(shè)�(jì)�(huán)��
型號(hào):AO4435
類型:N-Channel MOSFET
封裝:DFN2020-6
Vgs(th)(柵極閾值電壓)�1.1V(典型值)
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�7mΩ @ Vgs=4.5V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�12mΩ @ Vgs=2.5V
最大漏源電壓(Vds):30V
最大柵源電壓(Vgs):±8V
最大漏極電流(Id):8.6A(脈沖)
總功耗(Pd):1.3W(結(jié)�25°C�
工作溫度范圍(Tj):-55°C � +150°C
電荷量(Qg):1.9nC(典型值)
AO4435的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),使其能夠在高電流�(fù)載下保持低功��
2. 小型DFN2020-6封裝,節(jié)省PCB空間,適合緊湊型�(shè)�(jì)�
3. 高開(kāi)�(guān)速度,得益于低電荷量(Qg),適合高頻�(yīng)��
4. 寬泛的工作溫度范�,確保了其在極端條件下的�(wěn)定��
5. 較低的柵極電荷和輸出電容,�(jìn)一步優(yōu)化了�(kāi)�(guān)性能和效��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品的要求�
這些特點(diǎn)使AO4435成為消費(fèi)類電�、計(jì)算機(jī)外設(shè)、通信系統(tǒng)等應(yīng)用的理想選擇�
AO4435廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
3. �(fù)載開(kāi)�(guān),用于便攜式�(shè)備中的電源管理�
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電池保�(hù)電路�
5. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器和LED�(qū)�(dòng)器中的功率控��
6. 其他需要低�(dǎo)通損耗和高效能的�(yīng)用場(chǎng)��
憑借其高性能和小尺寸,AO4435非常適合�(duì)空間和效率有�(yán)格要求的�(xiàn)代電子產(chǎn)品�
AOZ4435D, SI4432DY, FDMQ8205