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AO4435 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 19:01:24 查看 閱讀�31

AO4435是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用超小型DFN2020-6封裝,適用于需要低�(dǎo)通電阻和高效能的�(yīng)用場(chǎng)合。AO4435具有極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在較低的電壓下能夠提供高效的開(kāi)�(guān)性能,非常適合便攜式�(shè)備、消�(fèi)電子以及通信�(shè)備中的電源管理應(yīng)��
  這款MOSFET的最大特�(diǎn)是其出色的開(kāi)�(guān)特性和耐熱性,能夠在高頻條件下�(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)�。此�,由于其體積小巧,AO4435也特別適合空間受限的�(shè)�(jì)�(huán)��

參數(shù)

型號(hào):AO4435
  類型:N-Channel MOSFET
  封裝:DFN2020-6
  Vgs(th)(柵極閾值電壓)�1.1V(典型值)
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�7mΩ @ Vgs=4.5V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�12mΩ @ Vgs=2.5V
  最大漏源電壓(Vds):30V
  最大柵源電壓(Vgs):±8V
  最大漏極電流(Id):8.6A(脈沖)
  總功耗(Pd):1.3W(結(jié)�25°C�
  工作溫度范圍(Tj):-55°C � +150°C
  電荷量(Qg):1.9nC(典型值)

特�

AO4435的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),使其能夠在高電流�(fù)載下保持低功��
  2. 小型DFN2020-6封裝,節(jié)省PCB空間,適合緊湊型�(shè)�(jì)�
  3. 高開(kāi)�(guān)速度,得益于低電荷量(Qg),適合高頻�(yīng)��
  4. 寬泛的工作溫度范�,確保了其在極端條件下的�(wěn)定��
  5. 較低的柵極電荷和輸出電容,�(jìn)一步優(yōu)化了�(kāi)�(guān)性能和效��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品的要求�
  這些特點(diǎn)使AO4435成為消費(fèi)類電�、計(jì)算機(jī)外設(shè)、通信系統(tǒng)等應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

AO4435廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
  3. �(fù)載開(kāi)�(guān),用于便攜式�(shè)備中的電源管理�
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電池保�(hù)電路�
  5. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器和LED�(qū)�(dòng)器中的功率控��
  6. 其他需要低�(dǎo)通損耗和高效能的�(yīng)用場(chǎng)��
  憑借其高性能和小尺寸,AO4435非常適合�(duì)空間和效率有�(yán)格要求的�(xiàn)代電子產(chǎn)品�

替代型號(hào)

AOZ4435D, SI4432DY, FDMQ8205

ao4435推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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ao4435參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C10.5A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 毫歐 @ 11A�20V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs24nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1400pF @ 15V
  • 功率 - 最�3.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOIC
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱785-1030-6