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GA1210A101GBAAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/19 16:56:06 查看 閱讀�23

GA1210A101GBAAR31G 是一款高性能的功率場效應晶體管(MOSFET),專為高效�、高可靠性的開關應用設計。該器件采用先進的制造工�,具備低導通電阻和快速開關能�,適合用于電源管�、電機驅動以及各類工�(yè)控制領域�
  該型號的MOSFET具有增強型結�,意味著它需要正向柵極電壓才能導�。其出色的電氣性能使其成為高頻開關電路的理想選��

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�120V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�10A
  導通電�(Rds(on))�10mΩ
  總功�(Pd)�114W
  工作結溫范圍(Tj)�-55� � 175�
  封裝形式:TO-247-3

特�

GA1210A101GBAAR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電� (Rds(on)) 確保了較低的傳導損�,從而提高了整體系統(tǒng)效率�
  2. 快速開關速度減少了開關損�,適合高頻應用場��
  3. 高雪崩能量能力增強了器件在異常情況下的耐用��
  4. 提供卓越的熱性能,能夠承受較高的工作溫度范圍�
  5. 具備防靜電保護功�,提升了生產過程中的可靠��
  6. 符合 RoHS 標準,滿足環(huán)保要求�
  這些特點使得 GA1210A101GBAAR31G 在多種電力電子設備中表現(xiàn)出色�

應用

GA1210A101GBAAR31G 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC 轉換��
  2. 電機驅動和逆變器控��
  3. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)�
  4. 工業(yè)自動化和機器人技術中的負載切��
  5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電控��
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的高邊/低邊開關�
  憑借其強大的電氣性能和穩(wěn)定�,該器件在眾多行�(yè)和應用中得到了廣泛認可�

替代型號

GA1210A101GBAAR31E, IRFZ44N, FDP55N10

ga1210a101gbaar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • 產品狀�(tài)在售
  • 電容100 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-