GA1210A101GBAAR31G 是一款高性能的功率場效應晶體管(MOSFET),專為高效�、高可靠性的開關應用設計。該器件采用先進的制造工�,具備低導通電阻和快速開關能�,適合用于電源管�、電機驅動以及各類工�(yè)控制領域�
該型號的MOSFET具有增強型結�,意味著它需要正向柵極電壓才能導�。其出色的電氣性能使其成為高頻開關電路的理想選��
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電�(Vds)�120V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�10A
導通電�(Rds(on))�10mΩ
總功�(Pd)�114W
工作結溫范圍(Tj)�-55� � 175�
封裝形式:TO-247-3
GA1210A101GBAAR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電� (Rds(on)) 確保了較低的傳導損�,從而提高了整體系統(tǒng)效率�
2. 快速開關速度減少了開關損�,適合高頻應用場��
3. 高雪崩能量能力增強了器件在異常情況下的耐用��
4. 提供卓越的熱性能,能夠承受較高的工作溫度范圍�
5. 具備防靜電保護功�,提升了生產過程中的可靠��
6. 符合 RoHS 標準,滿足環(huán)保要求�
這些特點使得 GA1210A101GBAAR31G 在多種電力電子設備中表現(xiàn)出色�
GA1210A101GBAAR31G 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC 轉換��
2. 電機驅動和逆變器控��
3. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)�
4. 工業(yè)自動化和機器人技術中的負載切��
5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電控��
6. 汽車電子系統(tǒng)中的高邊/低邊開關�
憑借其強大的電氣性能和穩(wěn)定�,該器件在眾多行�(yè)和應用中得到了廣泛認可�
GA1210A101GBAAR31E, IRFZ44N, FDP55N10