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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > AO4266E

AO4266E 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 12:51:33 查看 閱讀�26

AO4266E是Alpha & Omega Semiconductor(AOS)公司推出的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用TOLL封裝形式,具有低�(dǎo)通電�、高電流承載能力和出色的熱性能等特性。AO4266E廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源(SMPS�、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)和電池保�(hù)電路等領(lǐng)��
  其設(shè)�(jì)目標(biāo)是提供高效的功率�(zhuǎn)換解決方案,并在高頻工作條件下減少功率損��

參數(shù)

型號(hào):AO4266E
  類型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源極電壓):60V
  RDS(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�3.5mΩ
  ID(持�(xù)漏極電流):198A
  Qg(柵極電荷)�79nC
  Ciss(輸入電容)�4400pF
  fMAX(最高工作頻率)�2MHz
  封裝:TOLL

特�

AO4266E是一款高性能的功率MOSFET,其主要特性如下:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻RDS(on),僅3.5毫歐,在高電流應(yīng)用中可顯著降低傳�(dǎo)損��
  2. 高額定電流ID�198A,確保在大電流場(chǎng)景下的穩(wěn)定��
  3. 封裝采用TOLL形式,具備優(yōu)良的散熱性能和電氣連接可靠��
  4. 柵極電荷Qg較低,僅�79nC,有助于減少開關(guān)損耗并提升效率�
  5. 工作頻率高達(dá)2MHz,非常適合高頻開�(guān)�(yīng)用�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保�
  這些特性使AO4266E成為許多高效能功率轉(zhuǎn)換電路的理想選擇�

�(yīng)�

AO4266E由于其優(yōu)異的性能參數(shù)和可靠�,適用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(Switching Mode Power Supply, SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流
  3. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)
  5. 大功率LED�(qū)�(dòng)�
  6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)電路
  在這些�(yīng)用中,AO4266E憑借其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能�,能夠有效減少能耗并提高系統(tǒng)整體效率�

替代型號(hào)

AO4266

ao4266e推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ao4266e參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�3,000 : �1.88900卷帶(TR�
  • 系列AlphaSGT?
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�60 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)11A(Ta�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)13.5 毫歐 @ 11A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)10 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)755 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.1W(Ta�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�8-SO
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)