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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > FDD5612

FDD5612 發(fā)布時間 時間�2024/8/22 14:50:22 查看 閱讀�238

FDD5612是一�60V N溝道PowerTrench?MOSFET,經過專門定制,可最大限度地降低導通電�,并保持低柵極電荷,以獲得卓越的開關性能。Fairchild的最新中壓功率MOSFET是優(yōu)化的功率開關,結合了小柵極電荷(QG)、小反向恢復電荷(Qrr)和軟反向恢復體二極�,有助于快速切換交�/直流電源中的同步整流。它采用屏蔽柵極結構,提供電荷平�。通過利用這項先進技�,這些器件的FOM(品質因�(shù)(QGxRDS(ON)))比上一代低66%。新型PowerTrench?MOSFET的軟體二極管性能能夠消除緩沖電路或取代更高額定電壓的MOSFET所需電路,因為它可以最大限度地減少同步整流中不希望的電壓尖�。該產品具有通用性,適用于許多不同的應用�

技術參�(shù)

針腳�(shù)�
  漏源極電阻:0.036Ω
  耗散功率�42 W
  閾值電壓:2.4 V
  漏源極電�(Vds)�60 V
  上升時間�4 ns
  輸入電容(Ciss)�660pF 30V(Vds)
  額定功率(Max)�1.6 W
  下降時間�4 ns
  工作溫度(Max)�175�
  工作溫度(Min)�-55�
  耗散功率(Max)�42000 mW

封裝參數(shù)

引腳�(shù)�
  封裝:TO-252-3

其他

產品生命周期:Active
  包裝方式:Tape&Reel(TR)
  制造應用:工業(yè),電源管理

fdd5612推薦供應� 更多>

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fdd5612資料 更多>

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  • FDD5612
  • 60V N-Channel PowerTrench� MOSFET
  • FAIRCHILD&nbs...
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fdd5612參數(shù)

  • 產品培訓模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C55 毫歐 @ 5.4A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs11nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds660pF @ 30V
  • 功率 - 最�1.6W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應商設備封�TO-252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDD5612-NDFDD5612TR