FDD5612是一�60V N溝道PowerTrench?MOSFET,經過專門定制,可最大限度地降低導通電�,并保持低柵極電荷,以獲得卓越的開關性能。Fairchild的最新中壓功率MOSFET是優(yōu)化的功率開關,結合了小柵極電荷(QG)、小反向恢復電荷(Qrr)和軟反向恢復體二極�,有助于快速切換交�/直流電源中的同步整流。它采用屏蔽柵極結構,提供電荷平�。通過利用這項先進技�,這些器件的FOM(品質因�(shù)(QGxRDS(ON)))比上一代低66%。新型PowerTrench?MOSFET的軟體二極管性能能夠消除緩沖電路或取代更高額定電壓的MOSFET所需電路,因為它可以最大限度地減少同步整流中不希望的電壓尖�。該產品具有通用性,適用于許多不同的應用�
針腳�(shù)�
漏源極電阻:0.036Ω
耗散功率�42 W
閾值電壓:2.4 V
漏源極電�(Vds)�60 V
上升時間�4 ns
輸入電容(Ciss)�660pF 30V(Vds)
額定功率(Max)�1.6 W
下降時間�4 ns
工作溫度(Max)�175�
工作溫度(Min)�-55�
耗散功率(Max)�42000 mW
引腳�(shù)�
封裝:TO-252-3
產品生命周期:Active
包裝方式:Tape&Reel(TR)
制造應用:工業(yè),電源管理