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6SEP820M 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/23 14:31:44 查看 閱讀：11

6SEP820M是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等電力電子領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并降低功耗。
　　該芯片設(shè)計(jì)用于高電流和高頻應(yīng)用場(chǎng)合，同時(shí)具備良好的熱穩(wěn)定性和抗浪涌能力。其封裝形式通常為TO-220或DPAK，便于散熱處理和電路板安裝。

參數(shù)

最大漏源電壓：820V
　　連續(xù)漏極電流：6A
　　導(dǎo)通電阻：1.4Ω（典型值，在Vgs=10V時(shí)）
　　柵極電荷：35nC（最大值）
　　開關(guān)速度：上升時(shí)間15ns，下降時(shí)間25ns
　　工作溫度范圍：-55℃至+150℃
　　結(jié)溫：150℃（最大值）

特性

6SEP820M的主要特性包括：
　　1. 高耐壓能力，支持高達(dá)820V的工作電壓，適用于多種高壓場(chǎng)景。
　　2. 低導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì)，有助于減少導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。
　　3. 快速開關(guān)性能，能夠滿足高頻應(yīng)用需求。
　　4. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能，增強(qiáng)了芯片的可靠性。
　　5. 緊湊型封裝，易于集成到各類電力電子設(shè)備中。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，綠色環(huán)保。

應(yīng)用

這款MOSFET非常適合以下應(yīng)用場(chǎng)景：
　　1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流或降壓升壓控制。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)控制。
　　4. LED照明驅(qū)動(dòng)電路中的開關(guān)元件。
　　5. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高壓開關(guān)組件。
　　6. 電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)或保護(hù)電路。

替代型號(hào)

IRFP460, STP7NC80, FDP820

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6sep820m資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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6sep820m參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量344現(xiàn)貨
  • 價(jià)格1 : ￥17.57000散裝
  • 系列OS-CON?, SEP
  • 包裝散裝
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 類型聚合物
  • 電容820 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定6.3 V
  • ESR（等效串聯(lián)電阻）12 毫歐
  • 不同溫度時(shí)使用壽命105°C 時(shí)為 3000 小時(shí)
  • 工作溫度-55°C ~ 105°C
  • 等級(jí)-
  • 應(yīng)用通用
  • 特性-
  • 不同低頻時(shí)紋波電流272 mA @ 120 Hz
  • 不同高頻時(shí)紋波電流5.44 A @ 100 kHz
  • 阻抗-
  • 引線間距0.197"（5.00mm）
  • 大小 / 尺寸0.394" 直徑（10.00mm）
  • 高度 - 安裝（最大值）0.512"（13.00mm）
  • 表面貼裝焊盤尺寸-
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼徑向，Can