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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > LQP03TN4N7H02D

LQP03TN4N7H02D 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 15:24:18 查看 閱讀�24

LQP03TN4N7H02D 是一款由 ROHM(羅姆)制造的低導(dǎo)通電阻、小型封� N 溝道功率 MOSFET。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體工�,具備出色的開關(guān)性能和耐熱�,適合應(yīng)用于各種便攜式設(shè)備和高效率電源管理電路中�
  其采� USP-6C 封裝形式,具有緊湊的�(shè)計特�(diǎn),能夠滿足空間受限應(yīng)用的需�。由于其�(yōu)秀的電氣特性和�(wěn)定�,該芯片被廣泛用于負(fù)載開�(guān)、DC-DC �(zhuǎn)換器和電池保�(hù)等場��

參數(shù)

型號:LQP03TN4N7H02D
  制造商:ROHM
  類型:N 溝道功率 MOSFET
  封裝:USP-6C
  最大漏源電� Vds�40V
  最大柵源電� Vgs:�20V
  持續(xù)漏極電流 Id�4.1A
  �(dǎo)通電� Rds(on)�7mΩ (� Vgs=4.5V �)
  總功� Ptot�800mW
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C

特�

LQP03TN4N7H02D 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 緊湊� USP-6C 封裝使其非常適合于需要節(jié)省空間的�(shè)��
  3. 高可靠�,在惡劣的工作條件下仍能保持�(wěn)定性能�
  4. 支持較寬的工作溫度范�,適�(yīng)多種�(huán)境條件下的使��
  5. 快速開�(guān)速度,適用于高頻開關(guān)�(yīng)��
  6. 提供�(yōu)異的 ESD 保護(hù)能力,增�(qiáng)器件抗干擾性能�

�(yīng)�

LQP03TN4N7H02D 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開�(guān)�(shè)��
  2. 移動�(shè)備及便攜式設(shè)備的電源管理�
  3. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流功能�
  4. 各種電池供電系統(tǒng)的過流保�(hù)和短路保�(hù)�
  5. LED �(qū)動電路以及其他低壓控制電��
  6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號切換與隔離任務(wù)�

替代型號

LQP03TN4N7M02D, LQP03TN4N7K02D

lqp03tn4n7h02d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

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lqp03tn4n7h02d�(chǎn)�

lqp03tn4n7h02d參數(shù)

  • 制造商Murata
  • 電感4.7 nH
  • 容差3 %
  • 最大直流電�350 mA
  • 最大直流電�0.4 Ohms
  • 自諧振頻�4400 MHz
  • Q 最小�14
  • 工作溫度范圍- 55 C to + 125 C
  • 端接類型SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體0201 (0603 metric)
  • 尺寸0.3 mm W x 0.6 mm L x 0.3 mm H
  • 封裝Reel
  • 系列LQP
  • 工廠包裝�(shù)�15000