5N65L-TN3-T 是一種高� N 沒道場效�(yīng)晶體管(MOSFET�,主要用于開�(guān)和功率放大等�(yīng)�。它采用了先進的制造工�,具備低導通電阻、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度的特�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動和其他需要高效能�(zhuǎn)換的�(lǐng)��
該型號中的后� TN3-T 表示特定的封裝形式和篩選等級,通常適用于對可靠性要求較高的工業(yè)或汽車級�(yīng)��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�2.8A
導通電阻:1.4Ω
柵極電荷�17nC
開關(guān)時間:ton=80ns, toff=35ns
工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
5N65L-TN3-T 具備以下顯著特性:
1. 高耐壓能力,適合高壓環(huán)境下的應(yīng)��
2. 較低的導通電�,在大電流條件下能夠減少功率損耗�
3. 快速開�(guān)性能損��
4. 提供出色的熱�(wěn)定性和可靠性,適用于惡劣的工作�(huán)��
5. 封裝緊湊,便于設(shè)計和集成到各種電路中�
� MOSFET 廣泛用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機�(qū)動和控制電路�
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模��
4. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)�
5. 汽車電子中的負載開關(guān)和保護電��
由于其高可靠性和�(yōu)異的電氣性能,特別適合需要長時間�(wěn)定運行的場合�
5N65L-TN3-S, IRF650N, STP28NF65