5AGTMC3D3F31I3N 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,適用于高頻開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝技�(shù),具備低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠在各種�(fù)雜的工作條件下保持穩(wěn)定的性能�
該型�(hào)屬于增強(qiáng)� N 溝道 MOSFET,其�(shè)�(jì)旨在滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和小型化的需�。其封裝形式� TO-263(D2PAK�,適合表面貼裝技�(shù)(SMT)應(yīng)用�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�42A
柵極閾值電壓:2.5V
�(dǎo)通電阻:2.8mΩ
總柵極電荷:77nC
工作溫度范圍�-55� � +175�
5AGTMC3D3F31I3N 具有出色的電氣特性和可靠�,以下是其主要特�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠顯著降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 高電流處理能力,可承受高�(dá) 42A 的連續(xù)漏極電流�
3. 快速開�(guān)速度,得益于較低的總柵極電荷(Qg),非常適合高頻�(yīng)��
4. 寬工作溫度范圍,� -55� � +175�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)��
5. 封裝形式� TO-263(D2PAK),支持高效的散熱設(shè)�(jì)�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于需要高效率和高電流處理能力的場(chǎng)景中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì)中的主開�(guān)��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制元件�
3. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流管或高端開關(guān)�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開�(guān)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��
6. 汽車電子系統(tǒng)的功率管理單��
IRFZ44N, FDP5570, BUK9N04-40E