54FCT373ATDB 是一款高性能� MOSFET 場效�(yīng)晶體�,專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�。該器件采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適用于電源管理、電機驅(qū)動以� DC-DC �(zhuǎn)換器等場景�
其封裝形式為 TO-263,能夠有效提升散熱性能并支持高電流操作�
型號�54FCT373ATDB
類型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源極電壓):60V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�4.5mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):118A
Vgs(柵源極電壓):±20V
f(max)(最大工作頻率)�5MHz
封裝:TO-263
功耗:200W
54FCT373ATDB 具有非常低的�(dǎo)通電� Rds(on),使其在大電流應(yīng)用中表現(xiàn)出卓越的效率,并且減少了功率損耗�
此外,該器件具備快速開�(guān)能力,可實現(xiàn)高頻工作�(huán)境下的高效轉(zhuǎn)��
� ±20V 的柵源極電壓范圍提供了更廣泛的兼容�,同時內(nèi)置保護機制如過流限制和熱�(guān)斷功能增強了可靠性�
由于采用� TO-263 封裝,它還擁有出色的散熱性能,適合長時間運行或高溫條件下使用�
這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于各類需要高效能與高可靠性的場合,包括但不限于以下領(lǐng)域:
- 開關(guān)電源(SMPS�
- 電機�(qū)動及控制電路
- 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換
- 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號調(diào)節(jié)
- DC-DC �(zhuǎn)換器模塊
- 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)
54FCT374ATDB, IRFZ44N, FDP15U20E