LR645N8-G 是一款高性能� N 溈道場效�(yīng)晶體管(MOSFET�,適用于需要高效開�(guān)和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場景。該器件采用先進的半導(dǎo)體工藝制�,具備優(yōu)良的電氣特性和�(wěn)定性,適合工業(yè)、消費電子以及汽車電子領(lǐng)域中的多種應(yīng)用�
LR645N8-G 的封裝形式通常� TO-220 � PDFN 封裝,這種封裝�(shè)計有助于提高散熱性能,并且便于安裝在各種電路板上。該型號的主要特點是其較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力,使其成為功率�(zhuǎn)�、電機驅(qū)動和其他功率管理�(yīng)用的理想選擇�
最大漏源電壓:45V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�11A
�(dǎo)通電阻:5.3mΩ
總功耗:110W
工作溫度范圍�-55� to 150�
封裝形式:TO-220
LR645N8-G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(5.3mΩ 典型值),能夠有效減少功率損��
2. 高擊穿電壓(45V�,保證了器件在高壓環(huán)境下的可靠運��
3. 快速開�(guān)速度,使得該 MOSFET 在高頻開�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
4. 較高的雪崩耐量能力,增強了器件在異常情況下的保護性能�
5. 良好的熱�(wěn)定�,支持長時間高溫工作�(huán)境�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設(shè)�,適合現(xiàn)代綠色電子產(chǎn)品需��
LR645N8-G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)元件�
2. 電機�(qū)動器中的逆變器或斬波器電��
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切換控��
4. 汽車電子系統(tǒng)中的電池管理系統(tǒng)(BMS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器�
5. LED 照明�(qū)動電路中的電流調(diào)節(jié)元件�
6. 各種消費類電子產(chǎn)品中的功率管理模塊�
IRF540N, STP11NM50K, FDP15N45A