522710479是一種高性能的功率MOSFET芯片,通常用于電源管理、電機驅(qū)動和開關(guān)電路等領(lǐng)�。該芯片采用了先進的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能等特��
該芯片能夠在高頻條件下高效運行,同時支持大電流負�,適用于各種工業(yè)和消費類電子�(chǎn)品中的電源轉(zhuǎn)換和控制場景�
類型:功率MOSFET
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
漏源極耐壓(Vds):60V
柵源極耐壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):80A
封裝形式:TO-247
工作溫度范圍�-55℃至175�
522710479具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,在滿載情況下能夠有效降低功��
2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場合�
3. 良好的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下仍能�(wěn)定工��
4. 強大的電流承載能力,適用于大功率�(shè)��
5. 緊湊且高效的封裝�(shè)計,便于集成到各種系�(tǒng)��
6. 提供可靠的電氣保護功�,例如過流保護和短路保護�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 電機�(qū)動器
3. 工業(yè)自動化設(shè)�
4. 太陽能逆變�
5. 電動汽車充電系統(tǒng)
6. 筆記本電腦適配器
7. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的應(yīng)用場�
IRFZ44N
STP80NF06L
FDP5580
IXYS IXFN80N06T2