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IRLB3036PBF 發(fā)布時間 時間�2023/3/6 16:26:04 查看 閱讀�673

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:HEXFET?

   

目錄

概述

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:HEXFET?

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點:邏輯電平門

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�2.4 毫歐 @ 165A, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�60V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�195A

    Id 時的 Vgs(th)(最大)�2.5V @ 250μA

    閘電�(Qg) @ Vgs�140nC @ 4.5V

    � Vds 時的輸入電容(Ciss) �11210pF @ 50V

    功率 - 最大:380W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:TO-220-3 (直引�)

    包裝:管�

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220AB


資料

廠商
Infineon / IR

irlb3036pbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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irlb3036pbf參數(shù)

  • 特色�(chǎn)�HEXFET? Power MOSFETs
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C195A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.4 毫歐 @ 165A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs140nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds11210pF @ 50V
  • 功率 - 最�380W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件