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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > 500X07N5R6DV4T

500X07N5R6DV4T 發(fā)布時間 時間�2025/5/15 12:35:08 查看 閱讀�23

500X07N5R6DV4T 是一款高性能� MOSFET 器件,屬于氮化鎵(GaN)功率晶體管系列。該器件采用先進的 GaN 技�(shù)制�,具有極低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適用于高頻、高效能的應(yīng)用場��
  其設(shè)計旨在滿足現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換系�(tǒng)的需�,包括但不限� DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變器和電機�(qū)動等�(yīng)�。相比傳�(tǒng)的硅� MOSFET�500X07N5R6DV4T 在效�、尺寸和熱性能方面都有顯著提升�

參數(shù)

型號�500X07N5R6DV4T
  類型:增強型 E 模式 GaN HEMT
  最大漏源電壓(Vds):650V
  最大連續(xù)漏電流(Id):8A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):5.6mΩ
  柵極閾值電壓(Vgs(th)):2.3V
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  封裝形式:TO-263-7L

特�

500X07N5R6DV4T 的主要特性如下:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可降低導(dǎo)通損�,提高整體效��
  2. 快速開�(guān)速度,能夠有效減少開�(guān)損�,適合高頻應(yīng)��
  3. 高擊穿電壓能力,確保在高壓環(huán)境下�(wěn)定運��
  4. �(nèi)置柵極保護電�,防止過壓或靜電損壞�
  5. 小型化設(shè)�,有助于簡化 PCB 布局并節(jié)省空間�
  6. 熱性能�(yōu)�,支持高功率密度�(shè)��
  7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛工藝制��

�(yīng)�

該器件廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 工業(yè)級開�(guān)電源(SMPS)�
  2. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器�
  3. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)�
  4. 電動車充電設(shè)備(EVSE��
  5. LED �(qū)動器�
  6. 電機�(qū)動控��
  7. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)�

替代型號

500X07N6R5DV4T, 500X07N5R0DV4T

500x07n5r6dv4t推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

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500x07n5r6dv4t參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別電容�
  • 家庭陶瓷
  • 系列X2Y®
  • 電容5.6pF
  • 電壓 - 額定50V
  • 容差±0.5pF
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • �(yīng)�旁通,去�
  • 額定�-
  • 封裝/外殼0402�1005 公制�
  • 尺寸/尺寸0.045" L x 0.025" W�1.14mm x 0.64mm�
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.020"�0.51mm�
  • 引線間隔-
  • 特點� ESL 型(X2Y�
  • 包裝Digi-Reel®
  • 引線�-
  • 其它名稱709-1210-6