500X07N5R6DV4T 是一款高性能� MOSFET 器件,屬于氮化鎵(GaN)功率晶體管系列。該器件采用先進的 GaN 技�(shù)制�,具有極低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適用于高頻、高效能的應(yīng)用場��
其設(shè)計旨在滿足現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換系�(tǒng)的需�,包括但不限� DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變器和電機�(qū)動等�(yīng)�。相比傳�(tǒng)的硅� MOSFET�500X07N5R6DV4T 在效�、尺寸和熱性能方面都有顯著提升�
型號�500X07N5R6DV4T
類型:增強型 E 模式 GaN HEMT
最大漏源電壓(Vds):650V
最大連續(xù)漏電流(Id):8A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):5.6mΩ
柵極閾值電壓(Vgs(th)):2.3V
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝形式:TO-263-7L
500X07N5R6DV4T 的主要特性如下:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可降低導(dǎo)通損�,提高整體效��
2. 快速開�(guān)速度,能夠有效減少開�(guān)損�,適合高頻應(yīng)��
3. 高擊穿電壓能力,確保在高壓環(huán)境下�(wěn)定運��
4. �(nèi)置柵極保護電�,防止過壓或靜電損壞�
5. 小型化設(shè)�,有助于簡化 PCB 布局并節(jié)省空間�
6. 熱性能�(yōu)�,支持高功率密度�(shè)��
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛工藝制��
該器件廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)級開�(guān)電源(SMPS)�
2. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器�
3. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)�
4. 電動車充電設(shè)備(EVSE��
5. LED �(qū)動器�
6. 電機�(qū)動控��
7. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)�
500X07N6R5DV4T, 500X07N5R0DV4T