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DMN2005LPK 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 12:39:15 查看 閱讀�23

DMN2005LPK 是一� N 溝道邏輯電平增強� MOSFET,采� SOT-23 封裝形式。這款器件廣泛應用于需要高效開關和低導通電阻的應用場景中。由于其小尺寸封裝和�(yōu)秀的電氣性能,DMN2005LPK 成為便攜式設備、消費電子及通信�(chǎn)品中的理想選��
  � MOSFET 的設計使其能夠承受高電流負載,同時保持較低的功�。它具備出色的開關速度,非常適合驅動負載或用作電源管理電路中的關鍵組件�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�1.9A
  柵極閾值電壓:1.2V~2.2V
  導通電阻(Rds(on)):0.85Ω(在 Vgs=4.5V 時)
  工作結溫范圍�-55℃~150�
  封裝形式:SOT-23

特�

DMN2005LPK 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電�,有助于降低功耗并提高效率�
  2. 小型化封裝,節(jié)� PCB 空間,適合對空間要求較高的應��
  3. 高速開關能�,適用于高頻電路�
  4. 寬工作溫度范�,確保在各種�(huán)境下�(wěn)定運行�
  5. 邏輯電平驅動兼容�,簡化了與微控制器或其他�(shù)字信號源的接口設��
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�

應用

DMN20領域�
  1. 開關模式電源 (SMPS) 中的功率開關�
  2. 電池供電設備中的負載開關�
  3. 電機驅動和控制電��
  4. LED 驅動器中的電流調節(jié)元件�
  5. �(shù)�(jù)通信設備中的信號切換�
  6. 各種消費類電子產(chǎn)品中的保護電�,例如過流保護和短路保護�
  7. 充電器和適配器中的同步整��
  8. 便攜式設備中的電源管理模��

替代型號

DMN2006LSPK, DMN2007LSPK, BSS138

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