3EZ170D5是一種高頻、高速的硅雙極型晶體管(BJT�,廣泛應(yīng)用于射頻(RF)放大器和混頻器電路中。該晶體管具有高增益帶寬積(fT�、低噪聲特性和出色的線性度,適合于無線通信�(shè)備中的中功率射頻信號放大。其�(shè)計優(yōu)化了高頻�(yīng)用環(huán)境下的性能表現(xiàn)�
3EZ170D5采用了先�(jìn)的制造工藝以確保在高頻段下仍然保持較高的增益和穩(wěn)定性,同時它的封裝形式能夠有效減少寄生電容和電感的影響,從而提升整體效��
最大集電極電流�250mA
最大集電極-�(fā)射極電壓�45V
最大集電極-基極電壓�50V
最大耗散功率�450mW
增益帶寬積(fT):2.5GHz
特征頻率(fMAX):3GHz
直流電流增益(hFE):80�200
噪聲系數(shù)�1dB(典型值)
工作溫度范圍�-55℃~+150�
3EZ170D5具備卓越的高頻性能,其增益帶寬積高�(dá)2.5GHz,非常適合用于高頻信號處理領(lǐng)�。此�,該晶體管的低噪聲特性使得它成為射頻前端放大器的理想選擇。其能夠在較寬的工作溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運(yùn)�,并且具有良好的線性度和抗干擾能力�
該器件的封裝形式�(jīng)過特殊設(shè)�,可以最大限度地降低寄生效應(yīng),這對于高頻應(yīng)用至�(guān)重要。另��3EZ170D5還表�(xiàn)出較低的熱阻特性,有助于提高長時間工作的可靠��
3EZ170D5主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 射頻放大�
2. 混頻�
3. �(diào)制解�(diào)�
4. 無線通信�(shè)�
5. 高頻信號�(fā)生器
6. 測試測量儀�
由于其優(yōu)秀的高頻特性和低噪聲性能,該晶體管特別適合需要高精度和高性能的射頻系�(tǒng)�(shè)��
MATSUSHITA PTF170D5, ON Semiconductor MRF471