TFD080N04N是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),主要用于開�(guān)和功率轉(zhuǎn)換應�。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電阻和快速開�(guān)速度的特�,適用于各種高效能要求的場景�
該芯片能夠在高頻條件下保持較低的功耗,同時提供�(wěn)定的性能表現(xiàn)。其封裝形式為TO-252(DPAK�,非常適合空間受限的設計�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�8A
導通電阻:17mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
柵極電荷�19nC(典型值)
開關(guān)速度:快
工作溫度范圍�-55°C�+175°C
1. 極低的導通電阻Rds(on),能夠有效減少功率損��
2. 高雪崩能�,確保在異常條件下的可靠��
3. 快速開�(guān)性能,適合高頻應用場��
4. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)正常運行�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)�(guī)��
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流元件�
3. 電機�(qū)動控制電路中的功率級開關(guān)�
4. 照明系統(tǒng)中的LED�(qū)動開�(guān)�
5. 各類消費電子�(chǎn)品的負載切換功能模塊�
6. 工業(yè)自動化設備中的功率管理單��
IRF740,
STP80NF06,
FDP087N04A