2SK879-GR是一種N溝道MOSFET晶體�,屬于功率器件類別。該型號由日本的松下電器(Panasonic)生�(chǎn),廣泛應(yīng)用于功率放大�、開�(guān)電源以及音頻�(shè)備等�(lǐng)��
2SK879-GR的主要特點是其高增益和低噪聲性能,適合在高頻電路中使�。同�,它具有較高的擊穿電壓和較大的電流承載能力,這使得它非常適合用于需要高性能輸出級的場合�
集電�-�(fā)射極擊穿電壓�60V
柵極閾值電壓:2V~4V
漏極電流(連續(xù)):15A
耗散功率(最大)�130W
跨導(dǎo)�7S
輸入電容�100pF
�(jié)溫范圍:-55℃~+150�
2SK879-GR具有以下幾個顯著特點:
1. 高增益:由于其設(shè)計優(yōu)�,能夠在較低的驅(qū)動電壓下提供較高的增益,從而提高整體電路效��
2. 熱穩(wěn)定性:具備良好的熱�(wěn)定性能,適用于長時間運行的高功耗應(yīng)��
3. 快速開�(guān)速度:得益于低輸入電容和高跨�(dǎo),該器件能夠?qū)崿F(xiàn)快速開�(guān)操作,減少開�(guān)損��
4. 耐高壓能力:較高的集電極-�(fā)射極擊穿電壓使其適合在高壓環(huán)境下工作�
5. 大電流處理能力:可以承受高達15A的漏極電流,滿足大功率負載需��
2SK879-GR主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 功率放大器:特別是在音頻功率放大器中作為輸出級驅(qū)動元��
2. 開關(guān)電源:用作高效開�(guān)器件,幫助實�(xiàn)�(wěn)定的直流輸出�
3. 電機控制:在工業(yè)自動化系�(tǒng)�,可用于控制電機的速度和方向�
4. 逆變器電路:在太陽能逆變器和其他電力�(zhuǎn)換設(shè)備中�(fā)揮重要作��
5. 高頻電路:由于其低噪聲特性和快速開�(guān)能力,可廣泛�(yīng)用于高頻信號處理場景�
2SK1058, 2SK1806, IRF540N