HMC326MS8G是一款高性能的砷化鎵(GaAs)假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)單刀雙擲�(kāi)�(guān)(SPDT�,由Analog Devices Inc.(ADI)制�。該器件采用緊湊型MSOP8封裝,適用于要求低插入損�、高隔離度和出色線性度的射頻和微波�(yīng)�。HMC326MS8G支持的工作頻率范圍為DC�20 GHz,使其成為寬帶通信系統(tǒng)和測(cè)試測(cè)量設(shè)備的理想選擇�
該開(kāi)�(guān)通過(guò)TTL兼容控制輸入�(jìn)行操�,并且在�(dǎo)通狀�(tài)下的插入損耗較�,同�(shí)保持較高的隔離性能。其�(shè)�(jì)�(wú)需外部匹配組件,從而簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)并減少了整體解決方案的尺寸�
類型�?jiǎn)蔚峨p擲開(kāi)�(guān)(SPDT�
封裝:MSOP-8
工作頻率范圍:DC - 20 GHz
插入損耗:0.4 dB(典型�,@10 GHz�
隔離度:25 dB(最小�,@10 GHz�
VSWR�1.5:1(最大值)
電源電壓�+5 V�+3 V
控制輸入:TTL兼容
功率處理能力�27 dBm(典型�,@10 GHz�
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
HMC326MS8G具有以下�(guān)鍵特性:
1. 高頻率范圍覆蓋從直流�20 GHz,滿足多種寬帶應(yīng)用需��
2. 在整�(gè)工作頻率范圍�(nèi)提供低插入損耗和高隔離度,確保信�(hào)傳輸效率�
3. TTL兼容控制輸入�(jiǎn)化了�(shù)字控制邏輯的�(shè)�(jì)�
4. �(nèi)部集成了所有必要的匹配�(wǎng)�(luò),無(wú)需外部元件即可�(shí)�(xiàn)最佳性能�
5. 支持+5V�+3V兩種電源電壓選項(xiàng),增加了靈活��
6. 小尺寸MSOP-8封裝,適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)��
7. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)各種�(huán)境條件下的穩(wěn)定運(yùn)��
HMC326MS8G廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 寬帶通信系統(tǒng),如蜂窩基礎(chǔ)�(shè)施、點(diǎn)�(duì)�(diǎn)�(wú)線電和衛(wèi)星通信�
2. �(cè)試與�(cè)量設(shè)備,例如信號(hào)�(fā)生器、頻譜分析儀和網(wǎng)�(luò)分析儀�
3. 微波�(wú)線電和雷�(dá)系統(tǒng)�
4. �(yī)療成像和其他需要高性能射頻�(kāi)�(guān)的應(yīng)��
5. 光纖通信中的光模塊和收發(fā)��
6. 任何需要在高頻段內(nèi)�(shí)�(xiàn)低損耗切換的�(chǎng)��
HMC373LC3C,HMC372LP4E,HMC393LC3B