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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > K9G8G08U0M-PCB0

K9G8G08U0M-PCB0 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 10:24:52 查看 閱讀�21

K9G8G08U0M-PCB0 是三星(Samsung)推出的一款基� NAND Flash 技�(shù)的存�(chǔ)芯片。該芯片主要用于大容量數(shù)�(jù)存儲(chǔ),適用于消費(fèi)電子�(shè)�、嵌入式系統(tǒng)和工�(yè)�(yīng)用中�(duì)高密度存�(chǔ)有需求的�(chǎng)�。此型號(hào)采用了先�(jìn)的制程工�,在性能、功耗以及可靠性方面表�(xiàn)�(yōu)��
  該系列芯片支持高速接�,能夠提供穩(wěn)定的讀寫速度,同�(shí)具備較低的功耗特�,非常適合需要長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行的�(shè)備�

參數(shù)

類型:NAND Flash
  容量�64GB
  接口:Toggle DDR 2.0
  電壓�1.8V
  封裝:BGA
  工作溫度�-25°C � +85°C
  制程工藝�1Xnm

特�

K9G8G08U0M-PCB0 芯片具有以下主要特性:
  1. 高密度存�(chǔ)能力�?jiǎn)晤w芯片即可�(shí)�(xiàn) 64GB 的存�(chǔ)容量,適合大容量存儲(chǔ)�(yīng)��
  2. 高速傳輸接口:采用 Toggle DDR 2.0 接口,提供高�(dá) 400MT/s 的傳輸速率�
  3. 低功耗設(shè)�(jì):在讀寫操作時(shí)功耗極�,有助于延長(zhǎng)電池供電�(shè)備的�(xù)航時(shí)間�
  4. 可靠性強(qiáng):通過(guò)多種 ECC 糾錯(cuò)�(jī)制和磨損均衡技�(shù),確保數(shù)�(jù)存儲(chǔ)的安全性和持久��
  5. 廣泛的工作溫度范圍:支持� -25°C � +85°C 的工�(yè)�(jí)溫度范圍,適�(yīng)各種�(huán)境條件�

�(yīng)�

K9G8G08U0M-PCB0 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 消費(fèi)電子�(chǎn)品:如智能手�(jī)、平板電腦和�(shù)碼相�(jī)等設(shè)備中的內(nèi)部存�(chǔ)�
  2. 嵌入式系�(tǒng):用于工控設(shè)�、車載系�(tǒng)和網(wǎng)�(luò)�(shè)備的�(shù)�(jù)存儲(chǔ)模塊�
  3. 固態(tài)硬盤(SSD):作為 SSD 的核心存�(chǔ)單元,提供大容量和高性能的解決方��
  4. 工業(yè)與醫(yī)療設(shè)備:在需要長(zhǎng)期穩(wěn)定存�(chǔ)的工�(yè)自動(dòng)化設(shè)備及�(yī)療儀器中使用�
  5. 物聯(lián)�(wǎng)(IoT):� IoT �(shè)備提供可靠的大容量存�(chǔ)支持�

替代型號(hào)

K9HYG08U1E-MCK0, K9HCG08U1M-GC00, K9HBG08U5M

k9g8g08u0m-pcb0推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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