2SK208-GR是一種N溝道MOSFET功率晶體管,由富士電機(Fuji Electric)生�(chǎn)。這種晶體管主要用于高頻和高功率應用場�,例如射頻放大器、工�(yè)設備中的開關電源以及通信設備等�2SK208-GR以其低導通電阻和高開關速度著稱,在需要高效功率轉換的場景中表�(xiàn)�(yōu)��
該晶體管采用TO-3PF封裝形式,具備較高的耐用性和散熱性能,使其能夠承受較大的電流和電壓負��
最大漏源電壓:500V
最大漏極電流:1A
最大耗散功率�65W
柵源開啟電壓�3V~6V
導通電阻:20Ω
輸入電容�420pF
開關時間:開啟時� 0.1μs5μs
2SK208-GR具有以下主要特性:
1. 高擊穿電壓:能夠支持高達500V的工作電壓,適合高壓應用場景�
2. 快速開關速度:其開啟和關閉時間都非常短,分別僅為0.1μs�0.15μs,這使得它在高頻工作條件下表現(xiàn)�(yōu)異�
3. 低導通電阻:盡管其額定值為20Ω,但在實際使用中通常處于較低水平,有助于減少功��
4. 高可靠性:通過嚴格的測試和篩選,確保器件能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運��
5. TO-3PF封裝:提供良好的熱管理和電氣連接性能,同時便于安裝在各種電路板上�
2SK208-GR適用于多種電力電子應用領域:
1. 射頻功率放大器:由于其高頻特性和高輸出能力,非常適合用于無線電通信設備中的功率放大�
2. 開關電源:可用于構建高效的開關模式電源(SMPS�,以實現(xiàn)電壓調節(jié)和轉��
3. 工業(yè)控制:在自動化系�(tǒng)中作為驅動元件,用于控制電機或其他負��
4. 通信設備:在基站和其他通信基礎設施中用作信號放大的關鍵組件�
5. 其他高電�、高頻應用:如醫(yī)療設備、測試測量儀器等對性能要求苛刻的場��
2SK208, 2SK209, 2SK210