2SK1069-4-TL-E是一款高性能的N溝道場效�(yīng)晶體管(MOSFET�,主要應(yīng)用于高頻功率放大�、射頻開�(guān)和功率轉(zhuǎn)換電路等�(lǐng)域。該器件采用TO-3金屬封裝,具有低�(dǎo)通電�、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適合在高功率和高頻�(huán)境下工作�
型號(hào)�2SK1069-4-TL-E
類型:N溝道MOSFET
封裝:TO-3金屬封裝
最大漏源電壓:70V
最大柵源電壓:±20V
最大漏極電流:15A
�(dǎo)通電阻:0.18Ω
總柵電荷�35nC
開關(guān)�(shí)間:開通時(shí)�100ns,關(guān)斷時(shí)�50ns
工作溫度范圍�-55℃至+175�
2SK1069-4-TL-E具有出色的電氣性能和可靠�。其低導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗,提高效率。此�,該器件的高擊穿電壓和大電流承載能力使其能夠在嚴(yán)苛的工作條件下保持穩(wěn)定運(yùn)行。同�(shí),它還具備快速的開關(guān)速度,能夠滿足高頻應(yīng)用的需��
這款MOSFET適用于需要高可靠性和高效能的場景,例如射頻功率放大器、工�(yè)控制�(shè)備和通信系統(tǒng)中的電源管理部分。由于其良好的熱性能,即使在極端溫度下也能保持穩(wěn)定的性能�
該器件廣泛用于以下領(lǐng)域:
1. 射頻功率放大�
2. 高頻開關(guān)電路
3. 工業(yè)控制�(shè)�
4. 通信系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模�
5. 高壓直流電機(jī)�(qū)�(dòng)
6. 航空航天與國防領(lǐng)域的電源解決方案
其強(qiáng)大的電流處理能力和高速開�(guān)特性使�2SK1069-4-TL-E成為眾多高要求應(yīng)用場景的理想選擇�
2SK1069-4-TL-D, 2SK1069-4-TL-F