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2SK1069-4-TL-E 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 11:17:30 查看 閱讀�20

2SK1069-4-TL-E是一款高性能的N溝道場效�(yīng)晶體管(MOSFET�,主要應(yīng)用于高頻功率放大�、射頻開�(guān)和功率轉(zhuǎn)換電路等�(lǐng)域。該器件采用TO-3金屬封裝,具有低�(dǎo)通電�、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適合在高功率和高頻�(huán)境下工作�

參數(shù)

型號(hào)�2SK1069-4-TL-E
  類型:N溝道MOSFET
  封裝:TO-3金屬封裝
  最大漏源電壓:70V
  最大柵源電壓:±20V
  最大漏極電流:15A
  �(dǎo)通電阻:0.18Ω
  總柵電荷�35nC
  開關(guān)�(shí)間:開通時(shí)�100ns,關(guān)斷時(shí)�50ns
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

2SK1069-4-TL-E具有出色的電氣性能和可靠�。其低導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗,提高效率。此�,該器件的高擊穿電壓和大電流承載能力使其能夠在嚴(yán)苛的工作條件下保持穩(wěn)定運(yùn)行。同�(shí),它還具備快速的開關(guān)速度,能夠滿足高頻應(yīng)用的需��
  這款MOSFET適用于需要高可靠性和高效能的場景,例如射頻功率放大器、工�(yè)控制�(shè)備和通信系統(tǒng)中的電源管理部分。由于其良好的熱性能,即使在極端溫度下也能保持穩(wěn)定的性能�

�(yīng)�

該器件廣泛用于以下領(lǐng)域:
  1. 射頻功率放大�
  2. 高頻開關(guān)電路
  3. 工業(yè)控制�(shè)�
  4. 通信系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模�
  5. 高壓直流電機(jī)�(qū)�(dòng)
  6. 航空航天與國防領(lǐng)域的電源解決方案
  其強(qiáng)大的電流處理能力和高速開�(guān)特性使�2SK1069-4-TL-E成為眾多高要求應(yīng)用場景的理想選擇�

替代型號(hào)

2SK1069-4-TL-D, 2SK1069-4-TL-F

2sk1069-4-tl-e推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

2sk1069-4-tl-e參數(shù)

  • 零柵極電壓漏極電流范� Idss:2.5mA � 6mA
  • 電壓, Vgs off 最�:-2V
  • 功�, Pd:150mW
  • 封裝類型:SOT-323
  • 針腳�(shù):3
  • 功�:150mW