2SD1306NETL-E 是一� NPN 型硅雙極晶體�,廣泛應用于高頻放大和開關電路中。該型號具有低噪聲特性和較高的增益帶寬積,適用于各種射頻 (RF) 和無線通信應用。它在音頻和射頻領域表現出色,特別是在需要高增益和低失真的場景下�
集電�-�(fā)射極電壓(Vce):45V
集電極電流(Ic):0.8A
直流電流增益(hFE):最小值為 70,最大值為 300
過渡頻率(fT):450MHz
功耗(Ptot):1W
工作溫度范圍�-55� � +150�
2SD1306NETL-E 的主要特點是其卓越的高頻性能和低噪聲系數。它采用先進的制造工�,確保了器件在高頻段仍能保持�(wěn)定的增益。此�,該晶體管還具有較低的飽和電壓,使其非常適合用作高效的開關元��
它的高增益帶寬積使得 2SD1306NETL-E 成為設計高性能射頻放大器的理想選擇。同�,由于其能夠在較寬的工作溫度范圍內穩(wěn)定運�,因此也適合工業(yè)和汽車等嚴苛�(huán)境下的應��
該晶體管常用于高頻放大器、混頻器、振蕩器以及其他射頻相關電路�。此�,在音頻設備��2SD1306NETL-E 可作為前置放大器使用,提供高保真音質輸出�
在通信系統(tǒng)�,它可用于信號調制與解調處理,以及無線數據傳輸中的功率放大功能。由于其出色的開關特�,也可用作高速數字電路中的驅動元件�
2SC3358, BFR96