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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > 2N7002T-F

2N7002T-F 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/9 18:42:54 查看 閱讀�24

2N7002T-F是一種增�(qiáng)型N溝道MOSFET晶體�,屬于小信號(hào)MOSFET類別。該器件廣泛用于模擬和數(shù)字電路中,適用于開關(guān)和放大應(yīng)�。它具有低漏電流、高增益和快速開�(guān)速度的特�(diǎn)�
  2N7002T-F在許多電子設(shè)備中用作功率控制和信�(hào)處理元件,常見的�(yīng)用場(chǎng)景包括電源管�、負(fù)載切換、驅(qū)�(dòng)器電路以及保�(hù)電路�。其封裝形式通常為SOT-23,適合表面貼裝技�(shù)(SMT�,有助于提高電路板的集成度和可靠性�

參數(shù)

最大漏源電壓Vds�60V
  最大柵源電壓Vgs:�20V
  最大連續(xù)漏極電流Id�200mA
  最低導(dǎo)通電阻Rds(on)�4.5Ω(在Vgs=10V�(shí)�
  功耗Pd�400mW
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

2N7002T-F的主要特性如下:
  1. 增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�,僅在正向柵極電壓下�(dǎo)��
  2. 具有較高的輸入阻抗,幾乎不消耗驅(qū)�(dòng)電流�
  3. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用�
  4. 良好的熱�(wěn)定性和耐用��
  5. 小尺寸SOT-23封裝,便于表面安��
  6. 靜電防護(hù)�(shè)�(jì),增�(qiáng)了抗ESD能力�
  這些特性使�2N7002T-F成為便攜式設(shè)備和空間受限�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

該晶體管適用于多種場(chǎng)�,包括但不限于:
  1. 開關(guān)電源中的同步整流和負(fù)載開�(guān)�
  2. �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的信�(hào)切換�
  3. 電池供電�(shè)備中的電源管理模塊�
  4. 音頻電路中的電平�(zhuǎn)��
  5. 各類保護(hù)電路,如過壓保護(hù)、短路保�(hù)��
  由于其出色的電氣特性和緊湊的封裝形式,2N7002T-F被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)自動(dòng)化以及汽車電子領(lǐng)��

替代型號(hào)

2N7002K, BSS108, FDN327AN

2n7002t-f推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)