FQP1N60C是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,由Fairchild Semiconductor(現(xiàn)為ON Semiconductor)生�(chǎn)。這款器件采用TO-220封裝形式,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等高電壓�(yīng)用場(chǎng)合。其最大耐壓�600V,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,適合需要高效能與低損耗的�(yīng)用場(chǎng)景�
FQP1N60C通過(guò)�(yōu)化的芯片�(shè)�(jì)�(shí)�(xiàn)了在高壓下的良好性能表現(xiàn),同�(shí)保持了較小的體積和易于集成的特點(diǎn)�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�3.3A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.8Ω(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
柵極電荷�35nC(典型值)
輸入電容�970pF(典型值)
總功耗:10W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
封裝形式:TO-220
FQP1N60C具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力:能夠承受高�(dá)600V的漏源電�,適用于各種高壓�(yīng)用場(chǎng)��
2. 低導(dǎo)通電阻:Rds(on)僅為4.8Ω(典型值),有效降低導(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)性能:具備較小的柵極電荷和輸入電容,有助于實(shí)�(xiàn)快速開(kāi)�(guān),減少開(kāi)�(guān)損��
4. 寬溫工作范圍:支持從-55℃到+150℃的工作溫度區(qū)�,適�(yīng)惡劣�(huán)境需��
5. 可靠性高:經(jīng)�(guò)�(yán)格測(cè)�,確保在�(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行中的穩(wěn)定性和耐用��
6. �(jiǎn)化設(shè)�(jì):TO-220封裝便于安裝和散熱管�,簡(jiǎn)化了PCB布局和熱�(shè)�(jì)�(guò)程�
FQP1N60C主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):用于主開(kāi)�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器:作為高頻開(kāi)�(guān)元件,提升轉(zhuǎn)換效��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于控制小型直流電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)的運(yùn)行�
4. 逆變器電路:在太�(yáng)能逆變器或其他電力�(zhuǎn)換設(shè)備中使用�
5. 電池管理系統(tǒng):實(shí)�(xiàn)�(duì)電池充放電的精確控制�
6. �(fù)載開(kāi)�(guān):保�(hù)下游電路免受�(guò)流或短路的影��
7. 其他高壓�(kāi)�(guān)�(yīng)用:如固�(tài)繼電�、電子鎮(zhèn)流器��
FQP1N60,
IRFZ44N,
STP3NB60Z