DS1249Y-150IND+ 是一款由 Maxim Integrated 生產(chǎn)的非易失性靜�(tài)隨機(jī)存取存儲� (NVSRAM),結(jié)合了高� SRAM 和非易失性存儲技�(shù)。該芯片能夠在斷電時(shí)通過�(nèi)置的電容器或外部電池保存�(shù)�(jù),確保數(shù)�(jù)完整�。它適用于需要高可靠性數(shù)�(jù)存儲的應(yīng)用場�,例如工�(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備和通信系統(tǒng)�
DS1249Y-150IND+ 提供了一�(gè)簡單的接口和快速的�(shù)�(jù)訪問速度,同�(shí)支持多種封裝形式以適�(yīng)不同的設(shè)�(jì)需��
組織�(jié)�(gòu)�512 x 8�
存儲容量�512 字節(jié)
�(shù)�(jù)保留�(shí)間:10年以上(使用電池或超級電容)
工作電壓范圍�4.5V � 5.5V
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝類型:SOIC
引腳�(shù)量:8
�(shù)�(jù)訪問�(shí)間:15ns
寫入周期:無需寫入周期(即�(shí)寫入�
DS1249Y-150IND+ 的主要特性包括:
1. 非易失性存儲功能,能夠自動(dòng)在斷電情況下保存 SRAM �(shù)�(jù)�
2. 高速數(shù)�(jù)讀寫能力,適合�(shí)�(shí)�(yīng)��
3. 支持外部備用電源或片上電容器來保證數(shù)�(jù)完整��
4. 單一電源供電簡化了電路設(shè)�(jì)�
5. 提供�(biāo)�(zhǔn)并行接口,易于集成到�(xiàn)有系�(tǒng)��
6. 耐用性強(qiáng),可承受多次讀寫操作而不會影響性能�
7. 工業(yè)級溫度范�,確保在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
DS1249Y-150IND+ 適合用于以下�(yīng)用場景:
1. 工業(yè)自動(dòng)化控制系�(tǒng)中的�(shù)�(jù)記錄與配置存��
2. �(yī)療設(shè)備中的患者數(shù)�(jù)保存�
3. 通信系統(tǒng)中的臨時(shí)�(shù)�(jù)緩沖與恢�(fù)�
4. �(jì)量儀器中的校�(zhǔn)參數(shù)保存�
5. 嵌入式系�(tǒng)的日志記錄功能�
6. 任何需要高可靠�、低延遲�(shù)�(jù)存儲的地��
DS1248, DS1249Y-150IND