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DS1249Y-150IND+ 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 9:01:08 查看 閱讀�18

DS1249Y-150IND+ 是一款由 Maxim Integrated 生產(chǎn)的非易失性靜�(tài)隨機(jī)存取存儲� (NVSRAM),結(jié)合了高� SRAM 和非易失性存儲技�(shù)。該芯片能夠在斷電時(shí)通過�(nèi)置的電容器或外部電池保存�(shù)�(jù),確保數(shù)�(jù)完整�。它適用于需要高可靠性數(shù)�(jù)存儲的應(yīng)用場�,例如工�(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備和通信系統(tǒng)�
  DS1249Y-150IND+ 提供了一�(gè)簡單的接口和快速的�(shù)�(jù)訪問速度,同�(shí)支持多種封裝形式以適�(yīng)不同的設(shè)�(jì)需��

參數(shù)

組織�(jié)�(gòu)�512 x 8�
  存儲容量�512 字節(jié)
  �(shù)�(jù)保留�(shí)間:10年以上(使用電池或超級電容)
  工作電壓范圍�4.5V � 5.5V
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝類型:SOIC
  引腳�(shù)量:8
  �(shù)�(jù)訪問�(shí)間:15ns
  寫入周期:無需寫入周期(即�(shí)寫入�

特�

DS1249Y-150IND+ 的主要特性包括:
  1. 非易失性存儲功能,能夠自動(dòng)在斷電情況下保存 SRAM �(shù)�(jù)�
  2. 高速數(shù)�(jù)讀寫能力,適合�(shí)�(shí)�(yīng)��
  3. 支持外部備用電源或片上電容器來保證數(shù)�(jù)完整��
  4. 單一電源供電簡化了電路設(shè)�(jì)�
  5. 提供�(biāo)�(zhǔn)并行接口,易于集成到�(xiàn)有系�(tǒng)��
  6. 耐用性強(qiáng),可承受多次讀寫操作而不會影響性能�
  7. 工業(yè)級溫度范�,確保在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��

�(yīng)�

DS1249Y-150IND+ 適合用于以下�(yīng)用場景:
  1. 工業(yè)自動(dòng)化控制系�(tǒng)中的�(shù)�(jù)記錄與配置存��
  2. �(yī)療設(shè)備中的患者數(shù)�(jù)保存�
  3. 通信系統(tǒng)中的臨時(shí)�(shù)�(jù)緩沖與恢�(fù)�
  4. �(jì)量儀器中的校�(zhǔn)參數(shù)保存�
  5. 嵌入式系�(tǒng)的日志記錄功能�
  6. 任何需要高可靠�、低延遲�(shù)�(jù)存儲的地��

替代型號

DS1248, DS1249Y-150IND

ds1249y-150ind+推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)