211CC2S1160P是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該型號(hào)以其高效率和低導(dǎo)通電阻而著�,能夠在高頻工作條件下保持出色的性能表現(xiàn)�
10863984B可能是該芯片的一�(gè)具體批次編號(hào)或者封裝標(biāo)�(shí),通常用于追蹤生產(chǎn)信息和質(zhì)量控��
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏極電流�160A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�100nC
開關(guān)速度:超�
工作溫度范圍�-55℃至175�
211CC2S1160P具有非常低的�(dǎo)通電�,這使得它在高電流�(yīng)用中能夠顯著降低功耗并提高整體效率�
此外,這款芯片還具備較高的開關(guān)速度,非常適合高頻開�(guān)電源和其他需要快速響�(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)��
其堅(jiān)固的�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)和寬廣的工作溫度范圍確保了即使在惡劣�(huán)境下也能�(wěn)定運(yùn)行�
封裝形式緊湊,便于安裝和散熱管理,�(jìn)一步增�(qiáng)了其�(shí)用��
該芯片適用于各種工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率轉(zhuǎn)換和控制�(chǎng)景,例如不間斷電�(UPS)系統(tǒng)、電�(dòng)汽車(EV)中的電機(jī)控制�、太�(yáng)能逆變器以及家用電器的智能控制模塊等�
由于其卓越的電氣特性和可靠��211CC2S1160P成為許多工程師在�(shè)�(jì)高效能電路時(shí)的首選解決方��
IRFP2907ZPBF
FDP157N06L
STW120N6F2