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1SG280HN2F43E2VGS1 發(fā)布時間 時間�2025/4/25 15:08:05 查看 閱讀�30

1SG280HN2F43E2VGS1 是一款由日本東芝公司生產(chǎn)� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用先進的半導體工藝制造,具有低導通電�、高開關速度和出色的熱性能等特點。其封裝形式� TO-263(D2PAK�,適合在工業(yè)控制、電源管�、電機驅(qū)動和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的應用中使用�
  該型號的命名�(guī)則包含對芯片具體參數(shù)的定�,如耐壓值、導通電阻等,便于工程師根據(jù)實際需求選擇合適的版本�

參數(shù)

最大漏源電壓:500V
  連續(xù)漏極電流�12A
  導通電阻:0.3Ω
  柵極閾值電壓:2V~4V
  功耗:180W
  工作溫度范圍�-55℃~175�

特�

1SG280HN2F43E2VGS1 具有以下主要特性:
  1. 高耐壓能力,能夠承受高� 500V 的漏源電�,適用于高壓電路�(huán)��
  2. 低導通電阻設計,僅為 0.3Ω,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 快速開關性能,支持高頻應用場合�
  4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下可靠運��
  5. �(nèi)置保護功�,可有效防止過流和過熱損壞�
  6. 封裝形式緊湊,易于安裝和散熱設計�
  這些特性使得該器件非常適合用于高功率密度的設計場景�

應用

1SG280HN2F43E2VGS1 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關�
  2. 工業(yè)設備中的電機�(qū)動和逆變器控制�
  3. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)�
  4. 家用電器中的電磁爐、空�(diào)壓縮機等大功率負載控制�
  5. 電動車充電器和電池管理系�(tǒng) (BMS) 中的關鍵組件�
  憑借其卓越的性能表現(xiàn),該 MOSFET 在各類電力電子應用中表現(xiàn)出色�

替代型號

IRF840, STP12NM50, FQP12N50

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