�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�
制造商:STMicroelectronics
�(chǎn)品種類:IGBT 晶體�
封裝 / 箱體:TO-220FP
集電極—發(fā)射極最大電� VCEO�1200 V
集電極—射極擊穿電壓:1200 V
集電極—射極飽和電壓:2.8 V
柵極/�(fā)射極最大電壓:20 V
集電極最大連續(xù)電流 Ic�6 A
柵極—射極漏泄電流:+/- 100 nA
功率耗散�25 W
封裝:Tube
配置:Single
最大工作溫度:+ 150�
最小工作溫度:- 55�
安裝�(fēng)格:Through Hole
廠商 |
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