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STGF3NC120HD 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/6/9 14:20:45 查看 閱讀�489

�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�

目錄

概述

制造商:STMicroelectronics

�(chǎn)品種類:IGBT 晶體�

封裝 / 箱體:TO-220FP

集電極—發(fā)射極最大電� VCEO�1200 V

集電極—射極擊穿電壓:1200 V

集電極—射極飽和電壓:2.8 V

柵極/�(fā)射極最大電壓:20 V

集電極最大連續(xù)電流 Ic�6 A

柵極—射極漏泄電流:+/- 100 nA

功率耗散�25 W

封裝:Tube

配置:Single

最大工作溫度:+ 150�

最小工作溫度:- 55�

安裝�(fēng)格:Through Hole

資料

廠商
STMICROELECTRONICS
STMicroelectronics

stgf3nc120hd推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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stgf3nc120hd參數(shù)

  • 其它有關(guān)文件STGF3NC120HD View All Specifications
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列PowerMESH™
  • IGBT 類型-
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)1200V
  • Vge, Ic�(shí)的最大Vce(開(kāi)�2.8V @ 15V�3A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)6A
  • 功率 - 最�25W
  • 輸入類型�(biāo)�(zhǔn)�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220FP
  • 包裝管件
  • 其它名稱497-4353-5