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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > 19-237-R6GHBHC-A01-2T

19-237-R6GHBHC-A01-2T 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 2:00:41 查看 閱讀�9

19-237-R6GHBHC-A01-2T 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(lǐng)�。該芯片采用了先�(jìn)的溝槽式�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),能夠提供較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,從而顯著降低功耗并提升系統(tǒng)性能。此�,該器件具備出色的熱�(wěn)定性和可靠�,適合在�(yán)苛的工作�(huán)境下使用�
  其封裝形式為表面貼裝類型,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和焊�,同�(shí)具有較小的體積,可節(jié)省PCB空間。這款芯片通常用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電池管理系�(tǒng)以及各類工業(yè)控制�(shè)備中�

參數(shù)

型號(hào)�19-237-R6GHBHC-A01-2T
  類型:N-Channel MOSFET
  Vds(漏源極電壓):60V
  Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�4.5mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):45A
  Vgs(th)(閾值電壓)�2.2V
  Qg(總柵極電荷):38nC
  EAS(雪崩能量)�1.2J
  工作溫度范圍�-55� to +175�
  封裝:TO-263-2L

特�

19-237-R6GHBHC-A01-2T 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少導(dǎo)通損�,提高整體效��
  2. 高速開�(guān)能力,使得其適用于高頻應(yīng)用場��
  3. 具備增強(qiáng)的熱性能,能夠在高溫條件下長期穩(wěn)定運(yùn)��
  4. 提供卓越的電氣特性和�(dòng)�(tài)性能,適�(yīng)�(fù)雜的�(fù)載條��
  5. 小型化設(shè)�(jì),簡化了電路布局和系�(tǒng)集成過程�
  6. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的抗干擾能力�
  這些特點(diǎn)共同保證了該芯片在各種復(fù)雜環(huán)境下的高效表�(xiàn)�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(jí)元件�
  3. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制電路�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器�
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)和繼電器替代方案�
  6. LED照明�(qū)�(dòng)電路中的�(diào)光和�(diào)壓組��
  憑借其�(yōu)異的性能和可靠性,19-237-R6GHBHC-A01-2T 成為了眾多高要求�(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

IRF540N, FDP5570N, STP80NF06L

19-237-r6ghbhc-a01-2t推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

19-237-r6ghbhc-a01-2t�(chǎn)�