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GA0805Y563MBJBT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/22 16:27:53 查看 閱讀:9

GA0805Y563MBJBT31G 是一款由東芝(Toshiba)生產(chǎn)的溝槽型功率MOSFET。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率管理的場(chǎng)景。其封裝形式為TO-252(DPAK),適合表面貼裝應(yīng)用,能夠滿足緊湊型設(shè)計(jì)需求。
  這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器件,通過(guò)柵極電壓控制漏極電流的導(dǎo)通與關(guān)斷,適用于中等功率范圍內(nèi)的各種工業(yè)及消費(fèi)類電子產(chǎn)品。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏極電流:14A
  最大柵源電壓:±20V
  導(dǎo)通電阻(典型值,Vgs=10V):2.9mΩ
  總功耗:77W
  工作結(jié)溫范圍:-55℃至175℃
  封裝類型:TO-252(DPAK)
  柵極電荷(典型值):39nC

特性

GA0805Y563MBJBT31G 的主要特性包括:
  1. 低導(dǎo)通電阻:在Vgs=10V時(shí),導(dǎo)通電阻僅為2.9mΩ,可顯著降低導(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 高開(kāi)關(guān)速度:得益于較低的柵極電荷,該器件能夠?qū)崿F(xiàn)快速的開(kāi)關(guān)切換,減少開(kāi)關(guān)損耗。
  3. 出色的熱性能:采用DPAK封裝,具有良好的散熱能力,支持高功率密度的應(yīng)用。
  4. 寬工作溫度范圍:能夠在-55℃至175℃的結(jié)溫范圍內(nèi)穩(wěn)定工作,適應(yīng)惡劣環(huán)境條件。
  5. 靜電保護(hù):內(nèi)置ESD防護(hù)機(jī)制,提高了器件的可靠性和耐用性。
  6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn):綠色環(huán)保,滿足國(guó)際環(huán)保法規(guī)要求。

應(yīng)用

GA0805Y563MBJBT31G 常用于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS):作為主功率開(kāi)關(guān)管,提供高效的能量轉(zhuǎn)換。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):用于無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)或步進(jìn)電機(jī)的-DC轉(zhuǎn)換器:在降壓或升壓電路中作為開(kāi)關(guān)元件。
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS):用于電池充放電保護(hù)及均衡電路。
  5. 汽車電子:如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向(EPS)、電動(dòng)車窗等汽車應(yīng)用中的功率控制。
  6. 工業(yè)自動(dòng)化:例如伺服驅(qū)動(dòng)器、逆變器和其他工業(yè)設(shè)備的功率級(jí)組件。

替代型號(hào)

GA0805Y563MBJBT21G
  IRF7405
  Si7860DP

ga0805y563mbjbt31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.056 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-