GA0805Y563MBJBT31G 是一款由東芝(Toshiba)生產(chǎn)的溝槽型功率MOSFET。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率管理的場(chǎng)景。其封裝形式為TO-252(DPAK),適合表面貼裝應(yīng)用,能夠滿足緊湊型設(shè)計(jì)需求。
這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器件,通過(guò)柵極電壓控制漏極電流的導(dǎo)通與關(guān)斷,適用于中等功率范圍內(nèi)的各種工業(yè)及消費(fèi)類電子產(chǎn)品。
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏極電流:14A
最大柵源電壓:±20V
導(dǎo)通電阻(典型值,Vgs=10V):2.9mΩ
總功耗:77W
工作結(jié)溫范圍:-55℃至175℃
封裝類型:TO-252(DPAK)
柵極電荷(典型值):39nC
GA0805Y563MBJBT31G 的主要特性包括:
1. 低導(dǎo)通電阻:在Vgs=10V時(shí),導(dǎo)通電阻僅為2.9mΩ,可顯著降低導(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率。
2. 高開(kāi)關(guān)速度:得益于較低的柵極電荷,該器件能夠?qū)崿F(xiàn)快速的開(kāi)關(guān)切換,減少開(kāi)關(guān)損耗。
3. 出色的熱性能:采用DPAK封裝,具有良好的散熱能力,支持高功率密度的應(yīng)用。
4. 寬工作溫度范圍:能夠在-55℃至175℃的結(jié)溫范圍內(nèi)穩(wěn)定工作,適應(yīng)惡劣環(huán)境條件。
5. 靜電保護(hù):內(nèi)置ESD防護(hù)機(jī)制,提高了器件的可靠性和耐用性。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn):綠色環(huán)保,滿足國(guó)際環(huán)保法規(guī)要求。
GA0805Y563MBJBT31G 常用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS):作為主功率開(kāi)關(guān)管,提供高效的能量轉(zhuǎn)換。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):用于無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)或步進(jìn)電機(jī)的-DC轉(zhuǎn)換器:在降壓或升壓電路中作為開(kāi)關(guān)元件。
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS):用于電池充放電保護(hù)及均衡電路。
5. 汽車電子:如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向(EPS)、電動(dòng)車窗等汽車應(yīng)用中的功率控制。
6. 工業(yè)自動(dòng)化:例如伺服驅(qū)動(dòng)器、逆變器和其他工業(yè)設(shè)備的功率級(jí)組件。
GA0805Y563MBJBT21G
IRF7405
Si7860DP